AO4832 与 DMG4800LSD-13 区别
| 型号 | AO4832 | DMG4800LSD-13 | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A-AO4832 | A36-DMG4800LSD-13 | ||||||
| 制造商 | AOS | Diodes Incorporated | ||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||||
| 描述 | DMG4800 Series Dual N-Channel 30 V 8.5 A 16 Mohm Mosfet - SOIC-8 | |||||||
| 数据表 | ||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||
| 规格信息 | ||||||||
| 封装/外壳 | SO-8 | SO | ||||||
| 连续漏极电流Id | 10A | 7.5A | ||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C | -55°C~150°C(TJ) | ||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 13mΩ@10A,10V | 16mΩ@9A,10V | ||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 1.6V @ 250µA | ||||||
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V | ||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 798pF @ 10V | ||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 2W | 1.17W | ||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 8.56nC @ 5V | ||||||
| 栅极电压Vgs | 20V | - | ||||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||||
| 库存与单价 | ||||||||
| 库存 | 0 | 852 | ||||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 15天 | ||||||
| 单价（含税） |
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| 购买数量 | ||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||
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AO4832 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 N-Channel 30V 20V 10A 2W 13mΩ@10A,10V -55°C~150°C |
￥1.3999
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0 | 当前型号 | ||||||||
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DMG4800LSDQ-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
车规 |
￥2.233
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1,374 | 对比 | ||||||||
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DMG4800LSD-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
16mΩ@9A,10V 1.17W -55°C~150°C(TJ) SO N-Channel 30V 7.5A |
￥1.562
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852 | 对比 | ||||||||
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DMN3015LSD-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
15mΩ@12A,10V 1.2W -55°C~150°C(TJ) SO 30V 8.4A 2N-Channel |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||
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DMG4800LSD-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
16mΩ@9A,10V 1.17W -55°C~150°C(TJ) SO N-Channel 30V 7.5A |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||
|
|
DMG4800LSD-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
16mΩ@9A,10V 1.17W -55°C~150°C(TJ) SO N-Channel 30V 7.5A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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