AO4822A 与 IRL6372TRPBF 区别
| 型号 | AO4822A | IRL6372TRPBF | ||
|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A-AO4822A | A-IRL6372TRPBF | ||
| 制造商 | AOS | Infineon Technologies | ||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||
| 描述 | Dual N-Channel 30 V 23 mOhm 11 nC 2 W Silicon Surface Mount Mosfet - SOIC-8 | |||
| 数据表 | ||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||
| 规格信息 | ||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 19mΩ@8A,10V | 17.9mΩ@8.1A,4.5V | ||
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V | ||
| Pd-功率耗散(Max) | 2W | 2W | ||
| 栅极电压Vgs | 20V | - | ||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||
| 封装/外壳 | SO-8 | 8-SO | ||
| 连续漏极电流Id | 8A | 8.1A | ||
| 工作温度 | -55°C~150°C | -55°C~150°C(TJ) | ||
| 系列 | - | HEXFET® | ||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 1.1V @ 10µA | ||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 1020pF @ 25V | ||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 11nC @ 4.5V | ||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 1.1V @ 10µA | ||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 1020pF @ 25V | ||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 11nC @ 4.5V | ||
| 库存与单价 | ||||
| 库存 | 0 | 0 | ||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 | ||
| 单价（含税） |
|
暂无价格 | ||
| 购买数量 | 点击询价 | |||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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AO4822A | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 N-Channel 30V 20V 8A 2W 19mΩ@8A,10V -55°C~150°C |
￥1.5718
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0 | 当前型号 | ||||||||||
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DMN3033LSD-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
2N-Channel 8-SO -55°C~150°C(TJ) 30V 6.9A |
￥1.2062
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4,756 | 对比 | ||||||||||
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DMG4822SSD-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
10A 1.42W 20mΩ 30V 25V SO-8 -55°C~150°C N-Channel |
￥1.991
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2,500 | 对比 | ||||||||||
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DMN3018SSD-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
￥1.408
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89 | 对比 | |||||||||||
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IRL6372TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) 17.9mΩ@8.1A,4.5V 2W N-Channel 30V 8.1A 8-SO |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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|
DMN3033LSD-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
2N-Channel 8-SO -55°C~150°C(TJ) 30V 6.9A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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