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AO4806  与  IRF8910TRPBF  区别

型号 AO4806 IRF8910TRPBF
唯样编号 A-AO4806 A-IRF8910TRPBF
制造商 AOS Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Dual N-Channel 20 V 2 W 7.4 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - SOIC-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) 200 -
Rds On(Max)@Id,Vgs 14mΩ@9.4A,10V 13.4mΩ@10A,10V
ESD Diode Yes -
Rds On(Max)@1.8V 30mΩ -
Rds On(Max)@4.5V 16mΩ -
Rds On(Max)@2.5V 22mΩ -
Qgd(nC) 4.7 -
栅极电压Vgs ±12V -
Td(on)(ns) 3.3 -
封装/外壳 SO-8 8-SO
连续漏极电流Id 9.4A 10A
工作温度 -55℃~150℃ -55°C~150°C(TJ)
Ciss(pF) 1810 -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2.55V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 960pF @ 10V
Trr(ns) 22 Ohms -
Td(off)(ns) 44 -
漏源极电压Vds 20V 20V
Pd-功率耗散(Max) 2W 2W
Qrr(nC) 8.6 -
VGS(th) 1 Ohms -
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 2.55V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 960pF @ 10V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 11nC @ 4.5V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 11nC @ 4.5V
Coss(pF) 232 -
Qg*(nC) 17.9 -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税)
460+ :  ¥5.1111
1,000+ :  ¥3.5938
1,500+ :  ¥2.9487
3,000+ :  ¥2.3
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AO4806 AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8 N-Channel 20V ±12V 9.4A 2W 14mΩ@9.4A,10V -55℃~150℃

¥5.1111 

阶梯数 价格
460: ¥5.1111
1,000: ¥3.5938
1,500: ¥2.9487
3,000: ¥2.3
0 当前型号
DMG6898LSD-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

16mΩ@9.4A,4.5V 1.28W -55°C~150°C(TJ) SO N-Channel 20V 9.5A

¥1.606 

阶梯数 价格
40: ¥1.606
100: ¥1.232
1,250: ¥1.0725
2,500: ¥1.012
4,532 对比
IRF8910TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) 13.4mΩ@10A,10V 2W N-Channel 20V 10A 8-SO

暂无价格 0 对比
DMG6898LSD-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

16mΩ@9.4A,4.5V 1.28W -55°C~150°C(TJ) SO N-Channel 20V 9.5A

暂无价格 0 对比

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