AO4806 与 IRF8910TRPBF 区别
| 型号 | AO4806 | IRF8910TRPBF | ||
|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A-AO4806 | A-IRF8910TRPBF | ||
| 制造商 | AOS | Infineon Technologies | ||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||
| 描述 | Dual N-Channel 20 V 2 W 7.4 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - SOIC-8 | |||
| 数据表 | ||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||
| 规格信息 | ||||
| Crss(pF) | 200 | - | ||
| ESD Diode | Yes | - | ||
| Rds On(Max)@1.8V | 30mΩ | - | ||
| Rds On(Max)@4.5V | 16mΩ | - | ||
| Rds On(Max)@2.5V | 22mΩ | - | ||
| Qgd(nC) | 4.7 | - | ||
| 栅极电压Vgs | ±12V | - | ||
| Td(on)(ns) | 3.3 | - | ||
| 封装/外壳 | SO-8 | 8-SO | ||
| 连续漏极电流Id | 9.4A | 10A | ||
| 工作温度 | -55°C~150°C | -55°C~150°C(TJ) | ||
| Ciss(pF) | 1810 | - | ||
| 导通电阻Rds(On) | 14mΩ@9.4A,10V | 13.4mΩ@10A,10V | ||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 2.55V @ 250µA | ||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 960pF @ 10V | ||
| Trr(ns) | 22 Ohms | - | ||
| Td(off)(ns) | 44 | - | ||
| 功率耗散Pd | 2W | 2W | ||
| 漏源极电压Vds | 20V | 20V | ||
| Qrr(nC) | 8.6 | - | ||
| VGS(th) | 1 Ohms | - | ||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||
| 系列 | - | HEXFET® | ||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 2.55V @ 250µA | ||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 960pF @ 10V | ||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 11nC @ 4.5V | ||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 11nC @ 4.5V | ||
| Coss(pF) | 232 | - | ||
| Qg*(nC) | 17.9 | - | ||
| 库存与单价 | ||||
| 库存 | 0 | 0 | ||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 | ||
| 单价（含税） |
|
暂无价格 | ||
| 购买数量 | 点击询价 | |||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
AO4806 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 N-Channel 20V ±12V 9.4A 2W 14mΩ@9.4A,10V -55°C~150°C |
￥2.3
|
0 | 当前型号 | ||||
|
DMG6898LSD-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
16mΩ@9.4A,4.5V 1.28W -55°C~150°C(TJ) SO N-Channel 20V 9.5A |
暂无价格 | 7,500 | 对比 | ||||
|
IRF8910TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) 13.4mΩ@10A,10V 2W N-Channel 20V 10A 8-SO |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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