AO4805 与 DMP3036SSD-13 区别
| 型号 | AO4805 | DMP3036SSD-13 | ||||||||||||||||||
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| 唯样编号 | A-AO4805 | A36-DMP3036SSD-13 | ||||||||||||||||||
| 制造商 | AOS | Diodes Incorporated | ||||||||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||||||||||||
| 描述 | ||||||||||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||||||||
| Crss(pF) | 295 | - | ||||||||||||||||||
| Td(off)(ns) | 24 | - | ||||||||||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 18mΩ@10V | 20mΩ@9A,10V | ||||||||||||||||||
| ESD Diode | No | - | ||||||||||||||||||
| 漏源极电压Vds | -30V | 30V | ||||||||||||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 2W | 1.2W | ||||||||||||||||||
| Qrr(nC) | 22 Ohms | - | ||||||||||||||||||
| VGS(th) | -2.8 | - | ||||||||||||||||||
| Qgd(nC) | 10 | - | ||||||||||||||||||
| 栅极电压Vgs | 25V | - | ||||||||||||||||||
| FET类型 | P-Channel | P-Channel | ||||||||||||||||||
| Td(on)(ns) | 11 | - | ||||||||||||||||||
| 封装/外壳 | SO-8 | SO | ||||||||||||||||||
| 连续漏极电流Id | -9A | 10.6A | ||||||||||||||||||
| 工作温度 | - | -55°C~150°C(TJ) | ||||||||||||||||||
| Ciss(pF) | 2060 | - | ||||||||||||||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 3V @ 250µA | ||||||||||||||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 1931pF @ 15V | ||||||||||||||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 16.5nC @ 10V | ||||||||||||||||||
| Schottky Diode | No | - | ||||||||||||||||||
| Trr(ns) | 30 | - | ||||||||||||||||||
| Coss(pF) | 370 | - | ||||||||||||||||||
| Qg*(nC) | 30* | - | ||||||||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||||||||
| 库存 | 1,000 | 4,212 | ||||||||||||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 5天 | 3 - 15天 | ||||||||||||||||||
| 单价（含税） |
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| 购买数量 | ||||||||||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||||
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AO4805 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 P-Channel -30V 25V -9A 2W 18mΩ@10V |
￥2.8205
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1,000 | 当前型号 | ||||||||||||||||
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FDS4935BZ | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
22m Ohms@6.9A,10V 900mW -55°C~150°C(TJ) SOIC P-Channel 30V 6.9A 8-SOIC |
暂无价格 | 22,500 | 对比 | ||||||||||||||||
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DMP3036SSD-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
20mΩ@9A,10V 1.2W -55°C~150°C(TJ) SO P-Channel 30V 10.6A |
￥2.409
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4,212 | 对比 | ||||||||||||||||
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SH8J66TB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
9A 18.5mΩ@9A,10V 2W 150°C(TJ) 8-SOP 4V |
￥11.5277
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2,092 | 对比 | ||||||||||||||||
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SH8J66TB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
9A 18.5mΩ@9A,10V 2W 150°C(TJ) 8-SOP 4V |
￥11.5277
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1,511 | 对比 | ||||||||||||||||
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SH8J66TB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
9A 18.5mΩ@9A,10V 2W 150°C(TJ) 8-SOP 4V |
暂无价格 | 200 | 对比 |
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