首页 > 商品目录 > > > > AO4498代替型号比较

AO4498  与  BSO065N03MSGXUMA1  区别

型号 AO4498 BSO065N03MSGXUMA1
唯样编号 A-AO4498 A-BSO065N03MSGXUMA1
制造商 AOS Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V 13A 8DSO
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) 227 -
功率耗散(最大值) - 1.56W(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs 5.5mΩ@10V -
ESD Diode No -
Rds On(Max)@4.5V 7.5mΩ -
Qgd(nC) 11 -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 3100pF @ 15V
栅极电压Vgs 20V -
Td(on)(ns) 8.1 -
封装/外壳 SO-8 8-SOIC(0.154"",3.90mm 宽)
连续漏极电流Id 18A -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 40nC @ 10V
工作温度 - -55°C ~ 150°C(TJ)
Ciss(pF) 1910 -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 6.5 毫欧 @ 16A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 4.5V,10V
Schottky Diode No -
Trr(ns) 14 -
Td(off)(ns) 29 -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 30V -
Pd-功率耗散(Max) 3.1W -
Qrr(nC) 40 -
VGS(th) 2.5 -
FET类型 N-Channel N 通道
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 2V @ 250uA
25°C时电流-连续漏极(Id) - 13A(Ta)
漏源电压(Vdss) - 30V
Coss(pF) 316 -
Qg*(nC) 18 -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AO4498 AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8 N-Channel 30V 20V 18A 3.1W 5.5mΩ@10V

暂无价格 0 当前型号
AO4304_001 AOS 功率MOSFET

N-Channel ±20V 8-SOIC

暂无价格 0 对比
BSO065N03MSGXUMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

N 通道 8-SOIC(0.154"",3.90mm 宽) -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比
IRF7455PBF-1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

30V SO-8 9mΩ N-Channel 12V 12A

暂无价格 0 对比
IRF8113PBF-1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

30V SO-8 6.8mΩ N-Channel 20V 13.8A

暂无价格 0 对比
AO4498L AOS 功率MOSFET

18A(Tc) N-Channel ±20V 5.5 mΩ @ 18A,10V 8-SOIC 3.1W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 30V

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售