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AO4496  与  DMG4466SSS-13  区别

型号 AO4496 DMG4466SSS-13
唯样编号 A-AO4496 A36-DMG4466SSS-13
制造商 AOS Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V 10A 8SO
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) 55 -
Rds On(Max)@Id,Vgs 19.5mΩ@10A,10V 33mΩ
上升时间 - 7.9ns
Rds On(Max)@4.5V 26mΩ -
Qgd(nC) 2.2 -
栅极电压Vgs ±20V 25V
Td(on)(ns) 5 -
封装/外壳 SO-8 SO
连续漏极电流Id 10A 10A
工作温度 -55℃~150℃ -55°C~150°C(TJ)
Ciss(pF) 550 -
配置 - Single
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
下降时间 - 3.1ns
Trr(ns) 22 Ohms -
Td(off)(ns) 24 -
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 3.1W 1.42W
Qrr(nC) 14 -
VGS(th) 2.5 -
典型关闭延迟时间 - 14.6ns
FET类型 N-Channel -
系列 - DMG4466
通道数量 - 1Channel
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 2.4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 478.9pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 17nC @ 10V
典型接通延迟时间 - 2.9ns
Coss(pF) 110 -
Qg*(nC) 4.6 -
库存与单价
库存 0 3,552
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税)
490+ :  ¥3.3397
1,000+ :  ¥2.628
1,500+ :  ¥2.0552
3,000+ :  ¥1.6031
50+ :  ¥1.0208
100+ :  ¥0.7854
1,250+ :  ¥0.6655
2,500+ :  ¥0.616
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AO4496 AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8 N-Channel 30V ±20V 10A 3.1W 19.5mΩ@10A,10V -55℃~150℃

¥3.3397 

阶梯数 价格
490: ¥3.3397
1,000: ¥2.628
1,500: ¥2.0552
3,000: ¥1.6031
0 当前型号
DMG4466SSS-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) SO 10A 1.42W 33mΩ 30V 25V

¥1.0208 

阶梯数 价格
50: ¥1.0208
100: ¥0.7854
1,250: ¥0.6655
2,500: ¥0.616
3,552 对比
DMN3018SSS-13 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 1.4W(Ta) ±25V 8-SO -55℃~150℃(TJ) 30V 7.3A(Ta)

¥1.133 

阶梯数 价格
50: ¥1.133
100: ¥0.8712
1,250: ¥0.7381
1,909 对比
DMN3018SSS-13 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 1.4W(Ta) ±25V 8-SO -55℃~150℃(TJ) 30V 7.3A(Ta)

暂无价格 0 对比
AO4496_101 AOS  数据手册 功率MOSFET

10A(Ta) N-Channel ±20V 19.5 mΩ @ 10A,10V 8-SO 3.1W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 30V

暂无价格 0 对比
DMG4466SSS-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) SO 10A 1.42W 33mΩ 30V 25V

暂无价格 0 对比

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