AO4492 与 FDS6680A 区别
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规格信息
型号	AO4492	FDS6680A
唯样编号	A-AO4492	A3t-FDS6680A
制造商	AOS	ON Semiconductor
供应商	唯样自营	唯样自营
分类	功率MOSFET	功率MOSFET
描述		N-Channel 30 V 9.5 mOhm Surface Mount Logic Level PowerTrench Mosfet -SOIC-8
数据表	AO4492.pdf	FDS6680A.pdf
RoHs	无铅/符合RoHs	无铅/符合RoHs
Crss(pF)	77	-
Rds On(Max)@Id,Vgs	9.5mΩ@10V	9.5m Ohms@12.5A,10V
ESD Diode	No	-
Rds On(Max)@4.5V	14mΩ	-
Qgd(nC)	3.1	-
栅极电压Vgs	20V	±20V
Td(on)(ns)	5	-
封装/外壳	SO-8	8-SOIC
连续漏极电流Id	14A	12.5A
工作温度	-	-55°C~150°C(TJ)
Ciss(pF)	770	-
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	-	4.5V,10V
Schottky Diode	No	-
Trr(ns)	11	-
Td(off)(ns)	18	-
漏源极电压Vds	30V	30V
Pd-功率耗散(Max)	3.1W	2.5W(Ta)
Qrr(nC)	23	-
VGS(th)	2.2	-
FET类型	N-Channel	N-Channel
系列	-	PowerTrench®
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	-	3V @ 250µA
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	-	1620pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）（最大值）	-	23nC @ 5V
Coss(pF)	240	-
Qg*(nC)	7.1	-
库存与单价
库存	0	0
工厂交货期	56 - 70天	56 - 70天
单价（含税）	暂无价格	暂无价格
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推荐型号

原厂型号	制造商	数据手册	分类	关键参数	单价	操作
AO4492	AOS	数据手册	功率MOSFET	SO-8 N-Channel 30V 20V 14A 3.1W 9.5mΩ@10V	暂无价格	当前型号
FDS6680A	ON Semiconductor	数据手册	功率MOSFET	±20V 2.5W(Ta) 9.5m Ohms@12.5A,10V -55°C~150°C(TJ) SOIC N-Channel 30V 12.5A 8-SOIC	暂无价格	对比
SI4420DYTRPBF	Infineon	数据手册	功率MOSFET	N-Channel 30V 12.5A(Ta) ±20V 2.5W(Ta) 9mΩ@12.5A,10V -55°C~150°C(TJ) SO8	暂无价格	对比
FDS6680A	ON Semiconductor	数据手册	功率MOSFET	±20V 2.5W(Ta) 9.5m Ohms@12.5A,10V -55°C~150°C(TJ) SOIC N-Channel 30V 12.5A 8-SOIC	暂无价格	对比
NTMS4816NR2G	ON Semiconductor	数据手册	通用MOSFET	±20V 10 毫欧 @ 9A,10V -55°C~150°C(TJ) N-Channel 6.8A(Ta) 30V 8-SOIC	暂无价格	对比
IRF7413PBF	Infineon	数据手册	功率MOSFET	±20V 2.5W(Ta) 11mΩ@7.3A,10V -55°C~150°C(TJ) N-Channel 30V 13A 8-SO	暂无价格	对比