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AO4476A  与  FDS6680A  区别

型号 AO4476A FDS6680A
唯样编号 A-AO4476A A32-FDS6680A-1
制造商 AOS ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 N-Channel 30 V 9.5 mOhm Surface Mount Logic Level PowerTrench Mosfet -SOIC-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) 105 -
Rds On(Max)@Id,Vgs 7.7mΩ@10V 9.5m Ohms@12.5A,10V
ESD Diode No -
Rds On(Max)@4.5V 10.8mΩ -
Qgd(nC) 5 -
栅极电压Vgs 20V ±20V
Td(on)(ns) 6.5 -
封装/外壳 SO-8 8-SOIC
连续漏极电流Id 15A 12.5A
工作温度 - -55°C~150°C(TJ)
Ciss(pF) 1150 -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
Schottky Diode No -
Trr(ns) 8.7 -
Td(off)(ns) 17 -
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 3.1W 2.5W(Ta)
Qrr(nC) 13.5 -
VGS(th) 2.5 -
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 - PowerTrench®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 3V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1620pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 23nC @ 5V
Coss(pF) 180 -
Qg*(nC) 9.5 -
库存与单价
库存 0 40
工厂交货期 56 - 70天 7 - 14天
单价(含税) 暂无价格
1+ :  ¥0.6178
25+ :  ¥0.5325
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AO4476A AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8

暂无价格 0 当前型号
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8-SOIC(0.154",3.90mm宽) SOIC 8-SOIC

¥2.024 

阶梯数 价格
2,500: ¥2.024
5,000: ¥1.862
10,000: ¥1.7129
15,000 对比
FDS6670A ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

8-SOIC(0.154",3.90mm宽) SOIC 8-SOIC

¥3.6646 

阶梯数 价格
1: ¥3.6646
25: ¥3.1592
100: ¥2.7234
500 对比
FDS6680A ON Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

SOIC 8-SOIC

¥0.6178 

阶梯数 价格
1: ¥0.6178
25: ¥0.5325
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8-SOIC(0.154",3.90mm宽) SOIC 8-SOIC

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