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AO4468  与  DMN3030LSS-13  区别

型号 AO4468 DMN3030LSS-13
唯样编号 A-AO4468 A36-DMN3030LSS-13
制造商 AOS Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) 82 -
Td(off)(ns) 19 -
Rds On(Max)@Id,Vgs 17mΩ@10.5A,10V 18mΩ@9A,10V
漏源极电压Vds 30V 30V
Rds On(Max)@4.5V 23mΩ -
Pd-功率耗散(Max) 3.1W 2.5W(Ta)
Qrr(nC) 9 -
VGS(th) 2.4 -
Qgd(nC) 3 -
栅极电压Vgs ±20V ±25V
FET类型 N-Channel N-Channel
Td(on)(ns) 5 -
封装/外壳 SO-8 SO
连续漏极电流Id 10.5A 9A
工作温度 -55°C~150°C -55°C~150°C(TJ)
Ciss(pF) 740 -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 2.1V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 741pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 25nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
Trr(ns) 18 -
Coss(pF) 110 -
Qg*(nC) 7.5 -
库存与单价
库存 0 1,423
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
40+ :  ¥1.32
100+ :  ¥1.0098
1,250+ :  ¥0.8547
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AO4468 AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8 N-Channel 30V ±20V 10.5A 3.1W 17mΩ@10.5A,10V -55°C~150°C

暂无价格 0 当前型号
DMS3015SSS-13 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 1.55W(Ta) ±12V 8-SO -55°C~150°C(TJ) 30V 11A(Ta)

¥0.8748 

阶梯数 价格
60: ¥0.8748
100: ¥0.6732
1,250: ¥0.5694
3,788 对比
DMN4800LSSL-13 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 1.46W(Ta) ±20V 8-SO -55°C~150°C(TJ) 30V 8A(Ta)

¥1.32 

阶梯数 价格
40: ¥1.32
100: ¥1.0098
1,250: ¥0.8547
1,889 对比
DMN3030LSS-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

±25V 2.5W(Ta) 18mΩ@9A,10V -55°C~150°C(TJ) SO N-Channel 30V 9A

¥1.32 

阶梯数 价格
40: ¥1.32
100: ¥1.0098
1,250: ¥0.8547
1,423 对比
IRF7413TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 11mΩ@7.3A,10V N-Channel 30V 13A 8-SO

暂无价格 0 对比
IRF8707GTRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) 11A 17.5mΩ 2.5W

暂无价格 0 对比

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