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AO4468  与  IRF7811AVPBF  区别

型号 AO4468 IRF7811AVPBF
唯样编号 A-AO4468 A-IRF7811AVPBF
制造商 AOS Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF7811AVPBF, 11.8 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) 82 -
宽度 - 4mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 17mΩ@10.5A,10V 14mΩ
Rds On(Max)@4.5V 23mΩ -
引脚数目 - 8
Qgd(nC) 3 -
最小栅阈值电压 - 1V
栅极电压Vgs ±20V -
Td(on)(ns) 5 -
封装/外壳 SO-8 -
连续漏极电流Id 10.5A 11.8A
工作温度 -55°C~150°C -55°C~150°C(TJ)
Ciss(pF) 740 -
长度 - 5mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V
每片芯片元件数目 - 1 Ohms
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 3V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1801pF @ 10V
高度 - 1.50mm
Trr(ns) 18 -
类别 - 功率 MOSFET
典型关断延迟时间 - 43 ns
Td(off)(ns) 19 -
漏源极电压Vds 30V -
晶体管材料 - Si
Pd-功率耗散(Max) 3.1W 3W
Qrr(nC) 9 -
晶体管配置 -
VGS(th) 2.4 -
FET类型 N-Channel -
系列 - HEXFET
典型接通延迟时间 - 8.6 ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 26nC @ 5V
Coss(pF) 110 -
Qg*(nC) 7.5 -
库存与单价
库存 6,000 0
工厂交货期 3 - 5天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AO4468 AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8 N-Channel 30V ±20V 10.5A 3.1W 17mΩ@10.5A,10V -55°C~150°C

暂无价格 6,000 当前型号
IRF7413TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 11mΩ@7.3A,10V N-Channel 30V 13A 8-SO

暂无价格 0 对比
FDS8878 ON Semiconductor 功率MOSFET

10.2A(Ta) ±20V 2.5W(Ta) 14m Ohms@10.2A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) SOIC N-Channel 30V 10.2A 8-SOIC

暂无价格 0 对比
IRL6342TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±12V 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 14.6mΩ@9.9A,4.5V N-Channel 30V 9.9A 8-SO

暂无价格 0 对比
IRF7811AVPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) 11.8A 14mΩ 3W

暂无价格 0 对比
IRF7811AVTRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 14mΩ@15A,4.5V N-Channel 30V 10.8A 8-SO

暂无价格 0 对比

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