AO4468 与 FDS8878 区别
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规格信息
型号	AO4468	FDS8878
唯样编号	A-AO4468	A-FDS8878
制造商	AOS	ON Semiconductor
供应商	唯样自营	唯样自营
分类	功率MOSFET	功率MOSFET
描述		N-Channel 30 V 14 mOhm Surface Mount PowerTrench Mosfet - SOIC-8
数据表	AO4468.pdf
RoHs	无铅/符合RoHs	无铅/符合RoHs
Crss(pF)	82	-
Rds On(Max)@Id,Vgs	17mΩ@10.5A,10V	14m Ohms@10.2A,10V
Rds On(Max)@4.5V	23mΩ	-
Qgd(nC)	3	-
栅极电压Vgs	±20V	±20V
Td(on)(ns)	5	-
封装/外壳	SO-8	8-SOIC
连续漏极电流Id	10.5A	10.2A
工作温度	-55°C~150°C	-55°C~150°C(TJ)
Ciss(pF)	740	-
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	-	4.5V,10V
Trr(ns)	18	-
Td(off)(ns)	19	-
漏源极电压Vds	30V	30V
Pd-功率耗散(Max)	3.1W	2.5W(Ta)
Qrr(nC)	9	-
VGS(th)	2.4	-
FET类型	N-Channel	N-Channel
系列	-	PowerTrench®
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	-	2.5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	-	897pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）（最大值）	-	26nC @ 10V
Coss(pF)	110	-
Qg*(nC)	7.5	-
库存与单价
库存	6,000	0
工厂交货期	3 - 5天	56 - 70天
单价（含税）	暂无价格	暂无价格
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推荐型号

原厂型号	制造商	数据手册	分类	关键参数	单价	库存	操作
AO4468	AOS	数据手册	功率MOSFET	SO-8 N-Channel 30V ±20V 10.5A 3.1W 17mΩ@10.5A,10V -55°C~150°C	暂无价格	6,000	当前型号
IRF7413TRPBF	Infineon	数据手册	功率MOSFET	±20V 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 11mΩ@7.3A,10V N-Channel 30V 13A 8-SO	暂无价格	0	对比
FDS8878	ON Semiconductor		功率MOSFET	10.2A(Ta) ±20V 2.5W(Ta) 14m Ohms@10.2A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) SOIC N-Channel 30V 10.2A 8-SOIC	暂无价格	0	对比
IRL6342TRPBF	Infineon	数据手册	功率MOSFET	±12V 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 14.6mΩ@9.9A,4.5V N-Channel 30V 9.9A 8-SO	暂无价格	0	对比
IRF7811AVPBF	Infineon	数据手册	功率MOSFET	-55°C~150°C(TJ) 11.8A 14mΩ 3W	暂无价格	0	对比
IRF7811AVTRPBF	Infineon	数据手册	功率MOSFET	±20V 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 14mΩ@15A,4.5V N-Channel 30V 10.8A 8-SO	暂无价格	0	对比