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AO4459  与  IRF9335PBF  区别

型号 AO4459 IRF9335PBF
唯样编号 A-AO4459 A-IRF9335PBF
制造商 AOS Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET P-CH 30V 5.4A 8SO
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) 65 -
功率耗散(最大值) - 2.5W(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs 46mΩ@10V -
ESD Diode No -
Rds On(Max)@4.5V 72mΩ -
Qgd(nC) 2.2 -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 386pF @ 25V
栅极电压Vgs 20V -
Td(on)(ns) 7.5 -
封装/外壳 SO-8 8-SOIC(0.154"",3.90mm 宽)
连续漏极电流Id -6.5A -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 14nC @ 10V
工作温度 - -55°C ~ 150°C(TJ)
Ciss(pF) 520 -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 59 毫欧 @ 5.4A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 4.5V,10V
Schottky Diode No -
Trr(ns) 11 -
Td(off)(ns) 19 -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds -30V -
Pd-功率耗散(Max) 3.1W -
Qrr(nC) 5.3 -
VGS(th) -2.4 -
FET类型 P-Channel P 通道
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 2.4V @ 10uA
25°C时电流-连续漏极(Id) - 5.4A(Ta)
漏源电压(Vdss) - 30V
Coss(pF) 100 -
Qg*(nC) 4.6 -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税)
480+ :  ¥1.6022
1,000+ :  ¥1.2607
1,500+ :  ¥0.986
3,000+ :  ¥0.769
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