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AO4447A  与  IRF9317PBF  区别

型号 AO4447A IRF9317PBF
唯样编号 A-AO4447A A-IRF9317PBF
制造商 AOS Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET P-CH 30V 16A 8SO
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) 564 -
功率耗散(最大值) - 2.5W(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs 7mΩ@10V -
ESD Diode Yes -
Rds On(Max)@4.5V 8mΩ -
Qgd(nC) 17 -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 2820pF @ 15V
栅极电压Vgs 20V -
Td(on)(ns) 180 -
封装/外壳 SO-8 8-SOIC(0.154"",3.90mm 宽)
连续漏极电流Id -17A -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 92nC @ 10V
工作温度 - -55°C ~ 150°C(TJ)
Ciss(pF) 4580 -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 6.6 毫欧 @ 16A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 4.5V,10V
Schottky Diode No -
Trr(ns) 32 -
Td(off)(ns) 1200 -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds -30V -
Pd-功率耗散(Max) 3.1W -
Qrr(nC) 77 -
VGS(th) -1.6 -
FET类型 P-Channel P 通道
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 2.4V @ 50uA
25°C时电流-连续漏极(Id) - 16A(Ta)
漏源电压(Vdss) - 30V
Coss(pF) 755 -
Qg*(nC) 41 -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AO4447A AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8 P-Channel -30V 20V -17A 3.1W 7mΩ@10V

暂无价格 0 当前型号
RRH140P03GZETB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

14A 2W 5mΩ 30V 2.5V SOP-8 -55°C~150°C

¥13.7795 

阶梯数 价格
20: ¥13.7795
50: ¥9.2471
100: ¥8.6721
500: ¥8.2984
1,000: ¥8.2217
2,000: ¥8.1643
4,000: ¥8.1355
4,807 对比
DMG4413LSS-13 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

±20V 7.5mΩ@13A,10V -55°C ~ 150°C(TJ) SOP P-Channel 30V 12A

¥2.937 

阶梯数 价格
20: ¥2.937
100: ¥2.255
1,250: ¥1.969
2,500: ¥1.87
3,147 对比
AO4413 AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8 P-Channel -30V 25V -15A 3.1W 8.5mΩ@10V

暂无价格 1 对比
AO4447 AOS 功率MOSFET

±20V 7.5mΩ@15A,10V -55°C~150°C(TJ) P-Channel 30V 15A SOIC-8 3.1W

暂无价格 0 对比
IRF9317PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

P 通道 8-SOIC(0.154"",3.90mm 宽) -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比

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