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AO4419  与  IRF7416TRPBF  区别

型号 AO4419 IRF7416TRPBF
唯样编号 A-AO4419 A36-IRF7416TRPBF
制造商 AOS Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single HexFet -30 V 2.5 W 92 nC Silicon Surface Mount Mosfet - SOIC-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) 125 -
Rds On(Max)@Id,Vgs 20mΩ@10V 20mΩ@5.6A,10V
ESD Diode No -
Rds On(Max)@4.5V 35mΩ -
Qgd(nC) 4.6 -
栅极电压Vgs 20V -
Td(on)(ns) 10 -
封装/外壳 SO-8 8-SO
连续漏极电流Id -9.7A 10A
Ciss(pF) 1040 -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
Schottky Diode No -
Trr(ns) 11.5 -
Td(off)(ns) 26 -
漏源极电压Vds -30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 3.1W -
Qrr(nC) 25 -
VGS(th) -2.5 -
FET类型 P-Channel P-Channel
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 1V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1700pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 92nC @ 10V
Coss(pF) 180 -
Qg*(nC) 9.6 -
库存与单价
库存 0 19,133
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税)
480+ :  ¥2.5734
1,000+ :  ¥2.025
1,500+ :  ¥1.5836
3,000+ :  ¥1.2352
20+ :  ¥2.541
100+ :  ¥2.024
1,000+ :  ¥1.815
2,000+ :  ¥1.716
4,000+ :  ¥1.628
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AO4419 AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8

¥2.5734 

阶梯数 价格
480: ¥2.5734
1,000: ¥2.025
1,500: ¥1.5836
3,000: ¥1.2352
0 当前型号
IRF7416TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

8-SO

¥2.541 

阶梯数 价格
20: ¥2.541
100: ¥2.024
1,000: ¥1.815
2,000: ¥1.716
4,000: ¥1.628
19,133 对比
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5mm

¥1.628 

阶梯数 价格
40: ¥1.628
100: ¥1.309
1,000: ¥1.166
2,000: ¥1.0978
4,000: ¥1.045
4,612 对比
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SO

¥1.595 

阶梯数 价格
40: ¥1.595
100: ¥1.221
1,250: ¥1.0384
2,500: ¥0.88
2,500 对比
IRF7416PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

8-SO

暂无价格 0 对比

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