AO4411 与 SI4435DYTRPBF 区别
| 型号 | AO4411 | SI4435DYTRPBF | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A-AO4411 | A-SI4435DYTRPBF | ||||||||||
| 制造商 | AOS | Infineon Technologies | ||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||||
| 描述 | ||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 32mΩ@8A,10V | 20mΩ@8A,10V | ||||||||||
| 漏源极电压Vds | -30V | 30V | ||||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 3.1W | 2.5W(Ta) | ||||||||||
| 栅极电压Vgs | 20V | ±20V | ||||||||||
| FET类型 | P-Channel | P-Channel | ||||||||||
| 封装/外壳 | SO-8 | 8-SO | ||||||||||
| 连续漏极电流Id | -8A | 8A | ||||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C | -55°C~150°C(TJ) | ||||||||||
| 系列 | - | HEXFET® | ||||||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 1V @ 250µA | ||||||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 2320pF @ 15V | ||||||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 60nC @ 10V | ||||||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 4.5V,10V | ||||||||||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 1V @ 250µA | ||||||||||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 2320pF @ 15V | ||||||||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 60nC @ 10V | ||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||
| 库存 | 2,989 | 0 | ||||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 5天 | 56 - 70天 | ||||||||||
| 单价（含税） |
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暂无价格 | ||||||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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AO4411 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 P-Channel -30V 20V -8A 3.1W 32mΩ@8A,10V -55°C~150°C |
￥1.2821
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2,989 | 当前型号 | ||||||||||||
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SI4435DYTRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 20mΩ@8A,10V P-Channel 30V 8A 8-SO |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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