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AO4411  与  SI4435DYPBF  区别

型号 AO4411 SI4435DYPBF
唯样编号 A-AO4411 A-SI4435DYPBF
制造商 AOS Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET P-CH 30V 8A 8SO
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 2.5W(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs 32mΩ@8A,10V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds -30V -
Pd-功率耗散(Max) 3.1W -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 2320pF @ 15V
栅极电压Vgs 20V -
FET类型 P-Channel P 通道
封装/外壳 SO-8 8-SOIC(0.154"",3.90mm 宽)
连续漏极电流Id -8A -
工作温度 -55°C~150°C -55°C ~ 150°C(TJ)
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 1V @ 250uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 60nC @ 10V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 20 毫欧 @ 8A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
25°C时电流-连续漏极(Id) - 8A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 4.5V,10V
漏源电压(Vdss) - 30V
库存与单价
库存 2,989 0
工厂交货期 3 - 5天 56 - 70天
单价(含税)
1+ :  ¥1.2821
100+ :  ¥1.0204
1,000+ :  ¥0.7353
1,500+ :  ¥0.6329
3,000+ :  ¥0.5
暂无价格
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