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AO4406A  与  RS3E135BNGZETB  区别

型号 AO4406A RS3E135BNGZETB
唯样编号 A-AO4406A A33-RS3E135BNGZETB
制造商 AOS ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 11.5mΩ@12A,10V 14.6mΩ@9.5A,10V
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 3.1W 2W(Tc)
栅极电压Vgs 20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SO-8 8-SOIC
连续漏极电流Id 13A 9.5A(Ta)
工作温度 -55°C~150°C -55°C~150°C(TJ)
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2.5V @ 1mA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 680pF @ 15V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 8.3nC @ 4.5V
库存与单价
库存 0 2,020
工厂交货期 56 - 70天 21 - 28天
单价(含税)
490+ :  ¥1.7156
1,000+ :  ¥1.35
1,500+ :  ¥1.0558
3,000+ :  ¥0.8235
30+ :  ¥5.1075
50+ :  ¥3.4114
100+ :  ¥2.846
500+ :  ¥2.4627
1,000+ :  ¥2.3861
2,000+ :  ¥2.3286
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AO4406A AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8 N-Channel 30V 20V 13A 3.1W 11.5mΩ@12A,10V -55°C~150°C

¥1.7156 

阶梯数 价格
490: ¥1.7156
1,000: ¥1.35
1,500: ¥1.0558
3,000: ¥0.8235
0 当前型号
RS3E135BNGZETB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 30V 9.5A(Ta) ±20V 2W(Tc) 14.6mΩ@9.5A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC

¥5.1075 

阶梯数 价格
30: ¥5.1075
50: ¥3.4114
100: ¥2.846
500: ¥2.4627
1,000: ¥2.3861
2,000: ¥2.3286
2,500 对比
RS3E135BNGZETB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 30V 9.5A(Ta) ±20V 2W(Tc) 14.6mΩ@9.5A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC

¥5.1075 

阶梯数 价格
30: ¥5.1075
50: ¥3.4114
100: ¥2.846
500: ¥2.4627
1,000: ¥2.3861
2,000: ¥2.3286
2,020 对比
IRF7807ZTRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 13.8mΩ@11A,10V N-Channel 30V 11A 8-SO

暂无价格 0 对比
AO4406AL_103 AOS 功率MOSFET

13A(Tc) N-Channel ±20V 11.5 mΩ @ 12A,10V 8-SOIC 3.1W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 30V

暂无价格 0 对比
DMG4812SSS-13 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 1.54W(Ta) ±12V 8-SO -55℃~150℃(TJ) 30V 8A(Ta)

暂无价格 0 对比

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