AO4406A 与 SI4420DYTRPBF 区别
| 型号 | AO4406A | SI4420DYTRPBF | ||
|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A-AO4406A | A-SI4420DYTRPBF | ||
| 制造商 | AOS | Infineon Technologies | ||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||
| 描述 | ||||
| 数据表 | ||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||
| 规格信息 | ||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 11.5mΩ@12A,10V | 9mΩ@12.5A,10V | ||
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V | ||
| Pd-功率耗散(Max) | 3.1W | 2.5W(Ta) | ||
| 栅极电压Vgs | 20V | ±20V | ||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||
| 封装/外壳 | SO-8 | SO8 | ||
| 连续漏极电流Id | 13A | 12.5A(Ta) | ||
| 工作温度 | -55°C~150°C | -55°C~150°C(TJ) | ||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 4.5V,10V | ||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 1V @ 250µA | ||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 2240pF @ 15V | ||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 78nC @ 10V | ||
| 库存与单价 | ||||
| 库存 | 0 | 0 | ||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 | ||
| 单价（含税） |
|
暂无价格 | ||
| 购买数量 | 点击询价 | |||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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AO4406A | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 N-Channel 30V 20V 13A 3.1W 11.5mΩ@12A,10V -55°C~150°C |
￥0.8235
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0 | 当前型号 | ||||||||||||||
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RS3E135BNGZETB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 30V 9.5A(Ta) ±20V 2W(Tc) 14.6mΩ@9.5A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC |
￥5.7974
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2,500 | 对比 | ||||||||||||||
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RS3E135BNGZETB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 30V 9.5A(Ta) ±20V 2W(Tc) 14.6mΩ@9.5A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC |
￥5.7974
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2,000 | 对比 | ||||||||||||||
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IRF7807ZTRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 13.8mΩ@11A,10V N-Channel 30V 11A 8-SO |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||||
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SI4420DYTRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 30V 12.5A(Ta) ±20V 2.5W(Ta) 9mΩ@12.5A,10V -55°C~150°C(TJ) SO8 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||||
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RS3E135BNGZETB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 30V 9.5A(Ta) ±20V 2W(Tc) 14.6mΩ@9.5A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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