首页 > 商品目录 > > > > AO4406A代替型号比较

AO4406A  与  IRF8707PBF-1  区别

型号 AO4406A IRF8707PBF-1
唯样编号 A-AO4406A A-IRF8707PBF-1
制造商 AOS Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 11.5mΩ@12A,10V 17.5mΩ
Ptot (@ TA=25°C) max - 2.5W
漏源极电压Vds 30V 30V
Moisture Level - 1 Ohms
Pd-功率耗散(Max) 3.1W -
栅极电压Vgs 20V 20V
RthJA max - 50.0K/W
FET类型 N-Channel N-Channel
Qgd - 2.2nC
封装/外壳 SO-8 SO-8
Mounting - SMD
连续漏极电流Id 13A 9.1A
工作温度 -55°C~150°C -
QG - 6.2nC
Tj max - 150.0°C
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税)
490+ :  ¥1.7156
1,000+ :  ¥1.35
1,500+ :  ¥1.0558
3,000+ :  ¥0.8235
暂无价格
购买数量 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AO4406A AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8 N-Channel 30V 20V 13A 3.1W 11.5mΩ@12A,10V -55°C~150°C

¥1.7156 

阶梯数 价格
490: ¥1.7156
1,000: ¥1.35
1,500: ¥1.0558
3,000: ¥0.8235
0 当前型号
RS3E135BNGZETB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 30V 9.5A(Ta) ±20V 2W(Tc) 14.6mΩ@9.5A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC

¥5.1075 

阶梯数 价格
30: ¥5.1075
50: ¥3.4114
100: ¥2.846
300: ¥2.4627
500: ¥2.3861
1,000: ¥2.3286
2,500 对比
RS3E135BNGZETB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 30V 9.5A(Ta) ±20V 2W(Tc) 14.6mΩ@9.5A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC

¥5.1075 

阶梯数 价格
30: ¥5.1075
50: ¥3.4114
100: ¥2.846
300: ¥2.4627
500: ¥2.3861
1,000: ¥2.3286
2,020 对比
IRF7807ZTRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 13.8mΩ@11A,10V N-Channel 30V 11A 8-SO

暂无价格 0 对比
IRF8707PBF-1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

30V SO-8 17.5mΩ N-Channel 20V 9.1A

暂无价格 0 对比
AO4427 AOS  数据手册 功率MOSFET

12.5A(Ta) P-Channel ±25V 12 mΩ @ 12.5A,20V 8-SOIC 3W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 30V

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售