AO4296 与 DMT10H010LSS-13 区别
| 型号 | AO4296 | DMT10H010LSS-13 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-AO4296 | A-DMT10H010LSS-13 |
| 制造商 | AOS | Diodes Incorporated |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | ||
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Crss(pF) | 12.5 | - |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 8.3mΩ@10V | 9.5mΩ@13A,10V |
| ESD Diode | No | - |
| Rds On(Max)@4.5V | 10.6mΩ | - |
| Qgd(nC) | 4.5 | - |
| 栅极电压Vgs | 20V | ±20V |
| Td(on)(ns) | 8 | - |
| 封装/外壳 | SO-8 | 8-SOIC |
| 连续漏极电流Id | 13.5A | 11.5A |
| 工作温度 | - | -55°C~150°C(TJ) |
| Ciss(pF) | 3130 | - |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 4.5V,10V |
| Schottky Diode | No | - |
| Trr(ns) | 28 | - |
| Td(off)(ns) | 25 | - |
| 漏源极电压Vds | 100V | 100V |
| Pd-功率耗散(Max) | 3.1W | 1.4W(Ta) |
| Qrr(nC) | 130 | - |
| VGS(th) | 2.3 | - |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 2.8V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 3000pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 71nC @ 10V |
| Coss(pF) | 245 | - |
| Qg*(nC) | 18.5 | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
AO4296 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 N-Channel 100V 20V 13.5A 3.1W 8.3mΩ@10V |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
|
DMT10H010LSS-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 1.4W(Ta) 9.5mΩ@13A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC N-Channel 100V 11.5A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
|
DMT10H010LSS-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 1.4W(Ta) 9.5mΩ@13A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC N-Channel 100V 11.5A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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