首页 > 商品目录 > > > > AO3421E代替型号比较

AO3421E  与  NTR4171PT1G  区别

型号 AO3421E NTR4171PT1G
唯样编号 A-AO3421E A36-NTR4171PT1G
制造商 AOS ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 小信号MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) 27.5 -
宽度 - 1.3 mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 95mΩ@10V 75mΩ@2.2A,10V
正向跨导-最小值 - 7 S
ESD Diode Yes -
上升时间 - 16 ns
Rds On(Max)@4.5V 160mΩ -
Qgd(nC) 1.2 -
栅极电压Vgs 20V ±12V
Td(on)(ns) 8 -
封装/外壳 SOT23-3 SOT-23
连续漏极电流Id -3A 2.2A(Ta)
工作温度 - -55°C~150°C(TJ)
Ciss(pF) 215 -
配置 - Single
长度 - 2.9 mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 2.5V,10V
下降时间 - 22 ns
Schottky Diode No -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 720pF @ 15V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 1.4V @ 250µA
高度 - 0.94 mm
Trr(ns) 9 -
Td(off)(ns) 13.5 -
漏源极电压Vds -30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 1.4W 480mW(Ta)
Qrr(nC) 16 -
VGS(th) -2.5 -
典型关闭延迟时间 - 32 ns
FET类型 P-Channel P-Channel
系列 - NTR4171P
通道数量 - 1 Channel
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 1.4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 720pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 15.6nC @ 10V
典型接通延迟时间 - 9 ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 15.6nC @ 10V
Coss(pF) 46.5 -
Qg*(nC) 2.2 -
库存与单价
库存 0 1,902
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
50+ :  ¥1.232
200+ :  ¥0.946
1,500+ :  ¥0.8228
购买数量 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AO3421E AOS  数据手册 功率MOSFET

SOT23-3

暂无价格 0 当前型号
IRLML5203TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

SOT-23

¥1.2937 

阶梯数 价格
120: ¥1.2937
500: ¥1.1691
1,000: ¥1.1691
2,000: ¥1.1595
4,000: ¥1.1595
17,870 对比
DMP3125L-7 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

SOT-23-3

¥0.7084 

阶梯数 价格
80: ¥0.7084
200: ¥0.5408
1,500: ¥0.4706
3,000: ¥0.416
4,860 对比
BSS308PE H6327 Infineon  数据手册 小信号MOSFET

BSS308PEH6327XTSA1_SOT-23

暂无价格 3,000 对比
NTR4171PT1G ON Semiconductor  数据手册 小信号MOSFET

2.9mm SOT-23

¥1.232 

阶梯数 价格
50: ¥1.232
200: ¥0.946
1,500: ¥0.8228
1,902 对比
BSS308PE H6327 Infineon  数据手册 小信号MOSFET

BSS308PEH6327XTSA1_SOT-23

¥1.0967 

阶梯数 价格
50: ¥1.0967
200: ¥0.8437
1,500: ¥0.7337
1,902 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售