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AO3421E  与  IRLML5203TRPBF  区别

型号 AO3421E IRLML5203TRPBF
唯样编号 A-AO3421E A33-IRLML5203TRPBF
制造商 AOS Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single P-Channel 30 V 1.25 W 9.5 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - MICRO-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) 27.5 -
Rds On(Max)@Id,Vgs 95mΩ@10V 98mΩ@3A,10V
ESD Diode Yes -
Rds On(Max)@4.5V 160mΩ -
Qgd(nC) 1.2 -
栅极电压Vgs 20V ±20V
Td(on)(ns) 8 -
封装/外壳 SOT23-3 SOT-23
连续漏极电流Id -3A 3A
工作温度 - -55°C~150°C(TJ)
Ciss(pF) 215 -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
Schottky Diode No -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2.5V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 510pF @ 25V
Trr(ns) 9 -
Td(off)(ns) 13.5 -
漏源极电压Vds -30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 1.4W 1.25W(Ta)
Qrr(nC) 16 -
VGS(th) -2.5 -
FET类型 P-Channel P-Channel
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 2.5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 510pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 14nC @ 10V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 14nC @ 10V
Coss(pF) 46.5 -
Qg*(nC) 2.2 -
库存与单价
库存 0 17,870
工厂交货期 56 - 70天 21 - 28天
单价(含税) 暂无价格
120+ :  ¥1.2937
500+ :  ¥1.1691
1,000+ :  ¥1.1691
2,000+ :  ¥1.1595
4,000+ :  ¥1.1595
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120: ¥1.2937
500: ¥1.1691
1,000: ¥1.1691
2,000: ¥1.1595
4,000: ¥1.1595
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80: ¥0.7084
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¥1.0967 

阶梯数 价格
50: ¥1.0967
200: ¥0.8437
1,500: ¥0.7337
1,902 对比

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