| 型号 | AO3406 | FDN357N | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A-AO3406 | A36-FDN357N | ||||||
| 制造商 | AOS | ON Semiconductor | ||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 通用MOSFET | ||||||
| 描述 | N-Channel 30 V 60 mOhm Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor | |||||||
| 数据表 | ||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||
| 规格信息 | ||||||||
| Crss(pF) | 23 | - | ||||||
| 功率 | - | 500mW(Ta) | ||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 50mΩ@10V | 60 毫欧 @ 2.2A,10V | ||||||
| ESD Diode | No | - | ||||||
| Rds On(Max)@4.5V | 70mΩ | - | ||||||
| Qgd(nC) | 1 Ohms | - | ||||||
| 栅极电压Vgs | 20V | ±20V | ||||||
| Td(on)(ns) | 4.5 | - | ||||||
| 封装/外壳 | SOT23-3 | SuperSOT | ||||||
| 连续漏极电流Id | 3.6A | 1.9A | ||||||
| 工作温度 | - | -55°C~150°C(TJ) | ||||||
| Ciss(pF) | 170 | - | ||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 4.5V,10V | ||||||
| Schottky Diode | No | - | ||||||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 2V @ 250µA | ||||||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 235pF @ 10V | ||||||
| Trr(ns) | 7.5 | - | ||||||
| Td(off)(ns) | 18.5 | - | ||||||
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V | ||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 1.4W | 500mW(Ta) | ||||||
| Qrr(nC) | 2.5 | - | ||||||
| VGS(th) | 2.5 | - | ||||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 2V @ 250µA | ||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 235pF @ 10V | ||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 5.9nC @ 5V | ||||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 5.9nC @ 5V | ||||||
| Coss(pF) | 35 | - | ||||||
| Qg*(nC) | 2 | - | ||||||
| 库存与单价 | ||||||||
| 库存 | 0 | 2,491 | ||||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 15天 | ||||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
|
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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AO3406 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT23-3 N-Channel 30V 20V 3.6A 1.4W 50mΩ@10V |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||
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DMN3051L-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
±20V 700mW(Ta) 38mΩ@5.8A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 N-Channel 30V 5.8A |
￥0.6348
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44,816 | 对比 | ||||||||||
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FDN357N | ON Semiconductor | 通用MOSFET |
1.9A(Ta) ±20V 500mW(Ta) 60m Ohms@2.2A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SuperSOT N-Channel 30V 1.9A 60 毫欧 @ 2.2A,10V -55°C~150°C(TJ) |
￥1.177
|
2,491 | 对比 | |||||||||||
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ZXMN3F30FHTA | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
N-Channel 950mW(Ta) ±20V SOT-23-3 -55°C~150°C(TJ) 30V 3.8A(Ta) |
￥1.892
|
2,489 | 对比 | ||||||||||
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ZXMN3A14FTA | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
N-Channel 1W(Ta) ±20V SOT-23-3 -55°C~150°C(TJ) 30V 3.2A(Ta) |
￥1.892
|
1,763 | 对比 | ||||||||||
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DMG3406L-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
N-Channel 770mW(Ta) ±20V SOT-23-3 -55°C~150°C(TJ) 30V 3.6A(Ta) |
暂无价格 | 8 | 对比 |
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