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AO3162  与  BSS126H6906XTSA1  区别

型号 AO3162 BSS126H6906XTSA1
唯样编号 A-AO3162 A-BSS126H6906XTSA1
制造商 AOS Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 小信号MOSFET
描述 MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) 0.05 -
功率耗散(最大值) - 500mW(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs 500000mΩ@10V -
ESD Diode No -
产品特性 - 车规
Qgd(nC) 0.05 -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 28pF @ 25V
栅极电压Vgs 30V -
Td(on)(ns) 13.8 -
封装/外壳 SOT23-3 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
连续漏极电流Id 0.034A -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 2.1nC @ 5V
工作温度 - -55°C ~ 150°C(TJ)
Ciss(pF) 4.2 -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 500 欧姆 @ 16mA,10V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 0V,10V
Schottky Diode No -
Trr(ns) 105 -
Td(off)(ns) 39.2 -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 600V -
Pd-功率耗散(Max) 1.39W -
Qrr(nC) 9.5 -
VGS(th) 4.1 -
FET类型 N-Channel N 通道
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 1.6V @ 8uA
FET功能 - 耗尽模式
25°C时电流-连续漏极(Id) - 21mA(Ta)
漏源电压(Vdss) - 600V
Coss(pF) 0.45 -
Qg*(nC) 0.7* -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AO3162 AOS  数据手册 功率MOSFET

SOT23-3 N-Channel 600V 30V 0.034A 1.39W 500000mΩ@10V

暂无价格 0 当前型号
BSS126 H6906 Infineon  数据手册 小信号MOSFET

BSS126H6906XTSA1_600V 21mA 500Ω 10V 500mW(1/2W) N-Channel -55°C~150°C 车规

暂无价格 0 对比
BSS126H6906XTSA1 Infineon  数据手册 小信号MOSFET

BSS126 H6906_N 通道 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 -55°C ~ 150°C(TJ) 车规

暂无价格 0 对比

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