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94-3660PBF  与  FDS3692  区别

型号 94-3660PBF FDS3692
唯样编号 A-94-3660PBF A-FDS3692
制造商 Infineon Technologies ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 100V 4.5A 8SO N-Channel 100 V 60 mOhm PowerTrench Mosfet SOIC-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
技术 MOSFET(金属氧化物) -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 60m Ohms@4.5A,10V
漏源极电压Vds - 100V
Pd-功率耗散(Max) - 2.5W(Ta)
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 930pF @ 25V -
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 N 通道 N-Channel
封装/外壳 8-SOIC(0.154"",3.90mm 宽) 8-SOIC
不同Id时Vgs(th)(最大值) 5.5V @ 250uA -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 50nC @ 10V -
连续漏极电流Id - 4.5A
工作温度 - -55°C~150°C(TJ)
系列 - PowerTrench®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 746pF @ 25V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 60 毫欧 @ 2.7A,10V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 15nC @ 10V
25°C时电流-连续漏极(Id) 4.5A(Ta) -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 6V,10V
漏源电压(Vdss) 100V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
94-3660PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

N 通道 8-SOIC(0.154"",3.90mm 宽)

暂无价格 0 当前型号
FDS3692 ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

4.5A(Ta) ±20V 2.5W(Ta) 60m Ohms@4.5A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) SOIC N-Channel 100V 4.5A 8-SOIC

暂无价格 0 对比
FDS3512 ON Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

8-SOIC

暂无价格 0 对比

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