首页 > 商品目录 > > > > 4N35SR2M代替型号比较

4N35SR2M  与  4N35S-TA1  区别

型号 4N35SR2M 4N35S-TA1
唯样编号 A-4N35SR2M A36-4N35S-TA1
制造商 ON Semiconductor Lite-On
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 隔离器芯片 晶体管输出光耦
描述 DIP6 SMT Single Channel 30 V 4170 VAC (RMS) Phototransistor Optocoupler 4N35 Series Single Channel 30 V 3550 Vrms Optocoupler Surface Mount - DIP-6
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率 - 7/20W
宽度 - 6.5mm
Vf - 正向电压 - 1.5V
上升时间 - 10us
绝缘电压 - 3550Vrms
电流-输出/通道 - 100mA
Vr - 反向电压 - 6V
电流 - 输出/通道 - 100mA
封装/外壳 6-SMD 6-SMD
工作温度 -40°C ~ 100°C -55°C ~ 100°C
配置 - 1Channel
打开 / 关闭时间(典型值) 2µs,2µs -
长度 - 7.3mm
电压 - 正向(Vf)(典型值) 1.18V 1.2V
Vce饱和值(最大值) 300mV 300mV
电流传输比(最小值) 100% @ 10mA 100% @ 10mA
下降时间 - 10us
高度 - 3.5mm
电压-输出(最大值) 30V 30V
输入类型 DC DC
电压-隔离 4170Vrms 3550Vrms
电流 - DC 正向(If) 60mA 60mA
电压 - 输出(最大值) 30V 30V
电压-正向(Vf)(典型值) 1.18V 1.2V
最大集电极电流 - 100mA
输出类型 有基极的晶体管 NPNPhototransistor
电压 - 隔离 4170Vrms 3550Vrms
Vce 饱和值(最大值) 300mV 300mV
通道数量 - 1Channel
电流-DC正向(If) 60mA 60mA
上升/下降时间(典型值) - 3µs,3µs
最大集电极/发射极饱和电压 - 0.3V
通道数 1 Ohms 1 Ohms
If - 正向电流 - 10mA
电流传递比 - 100%
打开/关闭时间(典型值) 2µs,2µs -
最大集电极/发射极电压 - 30V
库存与单价
库存 0 3
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
4N35SR2M ON Semiconductor 隔离器芯片

6-SMD

暂无价格 0 当前型号
4N35S-TA1 Lite-On  数据手册 晶体管输出光耦

7.3mm 6-SMD

暂无价格 3 对比
4N35S-TA1 Lite-On  数据手册 晶体管输出光耦

7.3mm 6-SMD

¥0.75 

阶梯数 价格
1,000: ¥0.75
0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售