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2N7002Q-7-F  与  IRLML2060TRPBF  区别

型号 2N7002Q-7-F IRLML2060TRPBF
唯样编号 A-2N7002Q-7-F A-IRLML2060TRPBF
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 170MA SOT23 Single N-Channel 60 V 1.25 W 0.67 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - MICRO-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 480mΩ@1.2A,10V
漏源极电压Vds 60V 60V
Pd-功率耗散(Max) 370mW(Ta) 1.25W(Ta)
RdsOn(Max)@Id,Vgs 5Ω@500mA,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 50 pF @ 25 V -
栅极电压Vgs ±20V ±16V
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 0.233 nC @ 10 V -
封装/外壳 SOT-23-3 Micro3™/SOT-23
工作温度 -55℃~150℃(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 170mA(Ta) 1.2A
系列 - HEXFET®
驱动电压 5V,10V -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 2.5V @ 25µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 64pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 0.67nC @ 4.5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2.5V @ 25µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 64pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - .67nC @ 4.5V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
2N7002Q-7-F Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

SOT-23-3

暂无价格 0 当前型号
IRLML2060TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

Micro3™/SOT-23

¥0.9383 

阶梯数 价格
60: ¥0.9383
200: ¥0.6479
1,500: ¥0.5874
3,342 对比
IRLML2060TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

Micro3™/SOT-23

¥0.1478 

阶梯数 价格
1: ¥0.1478
25: ¥0.1275
100: ¥0.1098
240 对比
IRLML2060TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

Micro3™/SOT-23

暂无价格 0 对比

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