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2N7002K-T1-GE3  与  2N7002P,215  区别

型号 2N7002K-T1-GE3 2N7002P,215
唯样编号 A-2N7002K-T1-GE3 A36-2N7002P,215
制造商 Vishay Nexperia
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 小信号MOSFET 小信号MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 1.60mm -
Rds On(Max)@Id,Vgs 1.6Ω@500mA,10V
漏源极电压Vds 60V 60V
产品特性 - 车规
Pd-功率耗散(Max) 0.35W 350mW(Ta)
Qg-栅极电荷 0.4nC -
栅极电压Vgs 1V ±20V
典型关闭延迟时间 35ns -
正向跨导 - 最小值 100mS -
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 SOT-23 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 300mA 360mA(Ta)
系列 2N7002K -
通道数量 1Channel -
配置 Single -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA 2.4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 30pF @ 25V 50pF @ 10V
长度 2.9mm -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 0.6nC @ 4.5V 0.8nC @ 4.5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V 10V
典型接通延迟时间 25ns -
高度 1.45mm -
库存与单价
库存 200 209,680
工厂交货期 3 - 5天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
80+ :  ¥0.6578
200+ :  ¥0.5356
1,500+ :  ¥0.4862
3,000+ :  ¥0.455
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
2N7002K-T1-GE3 Vishay  数据手册 小信号MOSFET

-55°C~150°C(TJ) SOT-23 300mA 0.35W 2Ω 60V 1V

暂无价格 200 当前型号
2N7002K-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

370mW(Ta) -55°C~150°C(TJ) TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 60V 380mA 2Ω 1V N-Channel

¥0.6655 

阶梯数 价格
80: ¥0.6655
200: ¥0.2613
1,500: ¥0.1905
3,000: ¥0.15
250,407 对比
2N7002P,215 Nexperia  数据手册 小信号MOSFET

N-Channel 60V 360mA(Ta) ±20V 350mW(Ta) 1.6Ω@500mA,10V -55°C~150°C(TJ) TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 车规

¥0.6578 

阶梯数 价格
80: ¥0.6578
200: ¥0.5356
1,500: ¥0.4862
3,000: ¥0.455
209,680 对比
2N7002LT1G ON Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

7.5Ω@0.5A,10V ±20V SOT-23 -55°C~150°C 0.115A 60V 0.3W N-Channel

暂无价格 200,000 对比
2N7002ET1G ON Semiconductor  数据手册 小信号MOSFET

2.5Ω@0.24A,10V ±20V SOT-23 -55°C~150°C 0.26A 60V 0.3W N-Channel

暂无价格 200,000 对比
2N7002ET1G ON Semiconductor  数据手册 小信号MOSFET

2.5Ω@0.24A,10V ±20V SOT-23 -55°C~150°C 0.26A 60V 0.3W N-Channel

¥0.234 

阶梯数 价格
220: ¥0.234
1,500: ¥0.204
3,000: ¥0.18
75,231 对比

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