2N7002K-T1-GE3 与 2N7002,215 区别
| 型号 | 2N7002K-T1-GE3 | 2N7002,215 | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A-2N7002K-T1-GE3 | A36-2N7002,215 | ||||||||
| 制造商 | Vishay | Nexperia | ||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||
| 分类 | 小信号MOSFET | 小信号MOSFET | ||||||||
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 300MA TO236AB | |||||||||
| 数据表 | ||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||
| 规格信息 | ||||||||||
| 宽度 | 1.60mm | - | ||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 2Ω | - | ||||||||
| Qg-栅极电荷 | 0.4nC | - | ||||||||
| 栅极电压Vgs | 1V | ±30V | ||||||||
| 正向跨导 - 最小值 | 100mS | - | ||||||||
| 封装/外壳 | SOT-23 | SOT-23 | ||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -65°C~150°C | ||||||||
| 连续漏极电流Id | 300mA | 0.3A | ||||||||
| 配置 | Single | - | ||||||||
| 长度 | 2.9mm | - | ||||||||
| 输入电容 | - | 31pF | ||||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V | - | ||||||||
| 高度 | 1.45mm | - | ||||||||
| 漏源极电压Vds | 60V | 60V | ||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 0.35W | 0.83W | ||||||||
| 输出电容 | - | 7pF | ||||||||
| 典型关闭延迟时间 | 35ns | - | ||||||||
| FET类型 | - | N-Channel | ||||||||
| 系列 | 2N7002K | - | ||||||||
| 通道数量 | 1Channel | - | ||||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 2.5V @ 250µA | - | ||||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 30pF @ 25V | - | ||||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 0.6nC @ 4.5V | - | ||||||||
| Rds On(max)@Id,Vgs | - | 5Ω@500mA,10V | ||||||||
| 典型接通延迟时间 | 25ns | - | ||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||
| 库存 | 200 | 207,996 | ||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 5天 | 3 - 15天 | ||||||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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2N7002K-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 小信号MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) SOT-23 300mA 0.35W 2Ω 60V 1V |
暂无价格 | 200 | 当前型号 | ||||||||||
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2N7002K-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
370mW(Ta) -55°C~150°C(TJ) TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 60V 380mA 2Ω 1V N-Channel |
￥0.243
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263,672 | 对比 | ||||||||||
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2N7002KT1G | ON Semiconductor | 数据手册 | 小信号MOSFET |
±20V 350mW(Ta) -55°C~150°C(TJ) SOT-23 1.6Ω@500mA,10V N-Channel 60V 320mA(Ta) |
￥0.216
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221,272 | 对比 | ||||||||||
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2N7002,215 | Nexperia | 数据手册 | 小信号MOSFET |
N-Channel 0.83W -65°C~150°C ±30V 60V 0.3A SOT-23 |
￥0.6314
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207,996 | 对比 | ||||||||||
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2N7002LT1G | ON Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
7.5Ω@0.5A,10V ±20V SOT-23 -55°C~150°C 0.115A 60V 0.3W N-Channel |
暂无价格 | 200,000 | 对比 | ||||||||||
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2N7002ET1G | ON Semiconductor | 数据手册 | 小信号MOSFET |
2.5Ω@0.24A,10V ±20V SOT-23 -55°C~150°C 0.26A 60V 0.3W N-Channel |
暂无价格 | 200,000 | 对比 |
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