2N7002K-7 与 2N7002ET1G 区别
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规格信息
型号	2N7002K-7	2N7002ET1G
唯样编号	A-2N7002K-7	A-2N7002ET1G-1
制造商	Diodes Incorporated	ON Semiconductor
供应商	唯样自营	唯样自营
分类	小信号MOSFET	小信号MOSFET
描述	2N7002K Series 60 V 2 Ohm SMT N-Channel Enhancement Mode Mosfet - SOT-23-3	MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3
数据表	2N7002K-7.pdf	2N7002ET1G.pdf
RoHs	无铅/符合RoHs	无铅/符合RoHs
宽度	1.3mm	-
Rds On(Max)@Id,Vgs	2Ω	2.5Ω@0.24A,10V
上升时间	3.4ns	-
漏源极电压Vds	60V	60V
Pd-功率耗散(Max)	370mW(Ta)	0.3W
Qg-栅极电荷	0.3nC	-
栅极电压Vgs	1V	±20V
典型关闭延迟时间	15.7ns	-
FET类型	N-Channel	N-Channel
封装/外壳	TO-236-3,SC-59,SOT-23-3	SOT-23
工作温度	-55°C~150°C(TJ)	-55°C~150°C
连续漏极电流Id	380mA	0.26A
系列	2N7002	-
通道数量	1Channel	-
配置	Single	-
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	2.5V @ 1mA	-
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	50pF @ 25V	-
长度	2.9mm	-
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）（最大值）	0.3nC @ 4.5V	-
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	5V,10V	-
下降时间	9.9ns	-
典型接通延迟时间	3.9ns	-
高度	1mm	-
库存与单价
库存	0	200,000
工厂交货期	56 - 70天	3 - 5天
单价（含税）	暂无价格	暂无价格
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推荐型号

原厂型号	制造商	数据手册	分类	关键参数	单价	库存	操作
2N7002K-7	Diodes Incorporated	数据手册	小信号MOSFET	370mW(Ta) -55°C~150°C(TJ) TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 60V 380mA 2Ω 1V N-Channel	暂无价格	0	当前型号
2N7002ET1G	ON Semiconductor	数据手册	小信号MOSFET	2.5Ω@0.24A,10V ±20V SOT-23 -55°C~150°C 0.26A 60V 0.3W N-Channel	暂无价格	200,000	对比
2N7002LT1G	ON Semiconductor	数据手册	功率MOSFET	7.5Ω@0.5A,10V ±20V SOT-23 -55°C~150°C 0.115A 60V 0.3W N-Channel	暂无价格	117,000	对比
2N7002ET1G	ON Semiconductor	数据手册	小信号MOSFET	2.5Ω@0.24A,10V ±20V SOT-23 -55°C~150°C 0.26A 60V 0.3W N-Channel	暂无价格	39,600	对比
2N7002KT1G	ON Semiconductor	数据手册	小信号MOSFET	±20V 350mW(Ta) -55°C~150°C(TJ) SOT-23 1.6Ω@500mA,10V N-Channel 60V 320mA(Ta)	暂无价格	26,423	对比
2N7002,215	Nexperia	数据手册	小信号MOSFET	N-Channel 0.83W -65°C~150°C ±30V 60V 0.3A SOT-23	暂无价格	3,481	对比