2N7002BKS,115 与 DMN62D0UDW-7 区别
| 型号 | 2N7002BKS,115 | DMN62D0UDW-7 | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A-2N7002BKS,115 | A36-DMN62D0UDW-7 | ||||
| 制造商 | Nexperia | Diodes Incorporated | ||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||
| 分类 | 小信号MOSFET | 通用MOSFET | ||||
| 描述 | MOSFET 2N-CH 60V 0.3A 6TSSOP | MOSFET 2N-CH 60V 0.35A | ||||
| 数据表 | ||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 不符合RoHs | ||||
| 规格信息 | ||||||
| 漏源极电压Vds | 60V | 60V | ||||
| 产品特性 | 车规 | - | ||||
| Pd-功率耗散(Max) | 0.445W | - | ||||
| RdsOn(Max)@Id,Vgs | - | 2Ω@100mA,4.5V | ||||
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | - | 32pF @ 30V | ||||
| 输出电容 | 7pF | - | ||||
| 栅极电压Vgs | 1.6V | - | ||||
| FET类型 | N-Channel | 2N-Channel | ||||
| 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) | - | 0.5nC @ 4.5V | ||||
| 封装/外壳 | SOT363 | SOT-363 | ||||
| 工作温度 | 150°C | -55°C~150°C(TJ) | ||||
| 连续漏极电流Id | 0.3A | 350mA | ||||
| 输入电容 | 33pF | - | ||||
| Rds On(max)@Id,Vgs | 1600mΩ@10V,2000mΩ@5V | - | ||||
| 库存与单价 | ||||||
| 库存 | 80 | 297 | ||||
| 工厂交货期 | 3 - 5天 | 3 - 15天 | ||||
| 单价(含税) | 暂无价格 |
|
||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
2N7002BKS,115 | Nexperia | 数据手册 | 小信号MOSFET |
SOT363 N-Channel 0.445W 150°C 1.6V 60V 0.3A 车规 |
暂无价格 | 80 | 当前型号 | ||||||||||
|
DMN61D9UDW-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
2N-Channel SOT-363 -55°C~150°C(TJ) 60V 350mA |
¥0.6391
|
6,113 | 对比 | ||||||||||
|
UM6K31NTN | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 小信号MOSFET |
2.4Ω@250mA,10V 150mW 150°C(TJ) UMT N-Channel 60V 0.25A ±20V |
暂无价格 | 3,100 | 对比 | ||||||||||
|
UM6K31NTN | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 小信号MOSFET |
2.4Ω@250mA,10V 150mW 150°C(TJ) UMT N-Channel 60V 0.25A ±20V |
¥1.4278
|
2,005 | 对比 | ||||||||||
|
DMN62D0UDW-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
2N-Channel SOT-363 -55°C~150°C(TJ) 60V 350mA |
¥0.6463
|
297 | 对比 | ||||||||||
|
UM6K31NTN | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 小信号MOSFET |
2.4Ω@250mA,10V 150mW 150°C(TJ) UMT N-Channel 60V 0.25A ±20V |
暂无价格 | 80 | 对比 |