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功率MOSFET   TO-220AB

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制造商编号 IRF3205PBF
制 造 商 Infineon(英飞凌)
唯样编号 A-IRF3205PBF
供货
无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs
描述
Single N-Channel 55 V 8 mOhm 146 nC 200 W Flange Mount Mosfet - TO-220-3
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参数信息 商品简介 常见问题

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参数 参数值 操作
商品目录 功率MOSFET
系列 HEXFET®
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 146nC @ 10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 3247pF @ 25V
栅极电压Vgs ±20V
Pd-功率耗散(Max) 200W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 8mΩ@62A,10V
工作温度 -55°C~175°C(TJ)
FET类型 N-Channel
连续漏极电流Id 110A
漏源极电压Vds 55V
封装/外壳 TO-220AB
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商品简介

N 通道功率 MOSFET,55V,Infineon

Infineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。

MOSFET 晶体管,Infineon

Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能,实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。

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