| 制造商编号 | SIHG33N65E-GE3 |
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| 制 造 商 |
Vishay(威世)
授权代理品牌
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| 唯样编号 | A-SIHG33N65E-GE3 |
| 供货 | |
| 无铅情况/RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 描述 |
MOSFET N-CH 650V 32.4A TO-247AC
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| PDF资料下载 |
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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 通用MOSFET | |
| 封装/外壳 | TO-247-3 | |
| FET类型 | N-Channel | |
| 连续漏极电流Id | 32.4A | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 90mΩ | |
| 漏源极电压Vds | 4V |
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| 价格梯度 | 单价(含税) |
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暂无价格 |
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最小包：500
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务，因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少，如果要购买整盘，建议购买这个数量的整数倍
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交期： 请咨询客服 |
高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压
紧凑型透射式传感器，符合车规AEC-Q101标准
漏电流低，稳定性高，可进行波峰焊和回流焊
低正向压降，低漏电流，高正向浪涌能力
非常适合驱动电机控制逆变器应用中使用的功率IGBT和MOSFET
PCN SIL-0172020 SQS411ENW DS Revision from A to B 07072020
PCN SIL-0162020 SQM120P06-07L DS Revision from B to C
PCN SIL-0152020 SQM120P04-04L DS Revision from B to C
PCN-DD-019-2020 Rev 0_Additional Wafer Source for Bi SMX TVS Products
PCN-DD-014-2020 Rev 0_MicroSMF PLZ series bonding wire change
Private copy of PCN-DD-006-2020---Vishay
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| CQA34P01 | 621,000 |
| PJA3430_R1_00001 | 60,000 |
| AONR21357_203 | 60,000 |
| PXN012-60QLJ | 32,270 |
| PJA3438-AU_R1_000A1 | 24,000 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||||||
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SIHG33N65E-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-247-3 N-Channel 32.4A 90mΩ 4V |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||||||||||
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R6035KNZ1C9 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 600V 35A(Tc) ±20V 379W(Tc) 102mΩ@18.1A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-247-3 |
暂无价格 | 480 | 对比 | ||||||||||||||||||
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SCT3080ALGC11 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | SiC MOSFET |
null |
￥105.3873
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450 | 对比 | ||||||||||||||||||
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R6035KNZ1C9 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 600V 35A(Tc) ±20V 379W(Tc) 102mΩ@18.1A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-247-3 |
￥33.1456
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300 | 对比 | ||||||||||||||||||
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SCT3080ALGC11 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | SiC MOSFET |
null |
￥105.3873
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216 | 对比 | ||||||||||||||||||
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R6030ENZ1C9 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 600V 30A(Tc) ±20V 120W(Tc) 130mΩ@14.5A,10V 150°C(TJ) TO-247-3 |
￥68.5567
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30 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
