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功率MOSFET   8-PowerVDFN

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制造商编号 RQ3C150BCTB
制 造 商 ROHM(罗姆)  
授权代理品牌
唯样编号 A-RQ3C150BCTB
供货
产品周期

量产中

无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs
描述
MOSFET P-CHANNEL 20V 30A 8HSMT
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参数信息 常见问题

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参数 参数值 操作
商品目录 功率MOSFET
FET类型 P-Channel
漏源极电压Vds 20V
连续漏极电流Id 30A(Tc)
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.2V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 60nC @ 4.5V
栅极电压Vgs ±8V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4800pF @ 10V
Pd-功率耗散(Max) 20W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 6.7mΩ@15A,4.5V
工作温度 -55℃~150℃
封装/外壳 8-PowerVDFN
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库存 :  91 生产周期:14W

价格梯度 单价(含税)
1+ ¥7.3616
100+ ¥3.9311

整包(请按3000的倍数下单)

3,000+ ¥2.8422
¥2  
若购买整盘会自带料盘无需额外购买料盘

单价:

总价:

购买数量不足MPQ时,均为剪切带或散料出货。

最小包:3,000 
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务,因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少,如果要购买整盘,建议购买这个数量的整数倍
交期: 3天-5天
起订量:1 倍数:1

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制造商编号 最近销量(PCS)
AO3401A 276,000
PJA3441_R1_00001 141,000
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NCEP039N10D 24,000
NCE6012AS 20,000

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RQ3C150BCTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

8-PowerVDFN

¥7.3616 

阶梯数 价格
1: ¥7.3616
100: ¥3.9311
3,000: ¥2.8422
91 当前型号
DMP2008UFG-7 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

PowerDI3333-8

¥2.167 

阶梯数 价格
30: ¥2.167
100: ¥1.661
1,000: ¥1.397
1,985 对比
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暂无价格 0 对比
DMP2008UFG-13 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

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暂无价格 0 对比
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