| 制造商编号 | DMTH4004LK3-13 |
|---|---|
| 制 造 商 | Diodes(达尔) |
| 唯样编号 | A-DMTH4004LK3-13 |
| 供货 | |
| 无铅情况/RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 描述 |
栅极电压Vgs：±20V Pd-功率耗散(Max)：3.9W(Ta),180W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs：3mΩ@50A,10V 工作温度：-55°C~175°C(TJ) 封装/外壳：TO-252-5,Dpak,TO-252AD
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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
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| 商品目录 | 功率MOSFET | |
| 系列 | 汽车级,AEC-Q101 | |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V | |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 3V @ 250µA | |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 83nC @ 10V | |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 4450pF @ 25V | |
| 栅极电压Vgs | ±20V | |
| Pd-功率耗散(Max) | 3.9W(Ta),180W(Tc) | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 3mΩ@50A,10V | |
| 工作温度 | -55°C~175°C(TJ) | |
| 封装/外壳 | TO-252-5,Dpak,TO-252AD | |
| FET类型 | N-Channel | |
| 漏源极电压Vds | 40V | |
| 连续漏极电流Id | 100A |
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| 价格梯度 | 单价(含税) |
|---|---|
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暂无价格 |
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最小包：2,500
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务，因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少，如果要购买整盘，建议购买这个数量的整数倍
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交期： 请咨询客服 |
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| AO3401A | 276,000 |
| PJA3441_R1_00001 | 141,000 |
| PJD16P06A-AU_L2_000A1 | 42,000 |
| NCEP039N10D | 24,000 |
| NCE6012AS | 20,000 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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DMTH4004LK3-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-252-5,Dpak,TO-252AD |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
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TK3R1P04PL,RQ | Toshiba | 数据手册 | 通用MOSFET |
DPAK |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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DMTH4004LK3Q-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | MOSFET |
TO-252-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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