| 制造商编号 | DMN62D0LFB-7 |
|---|---|
| 制 造 商 | Diodes(达尔) |
| 唯样编号 | A-DMN62D0LFB-7 |
| 供货 | |
| 无铅情况/RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 描述 |
DMN62D0LFB Series 60 V 100 mA N-Channel Enhancement Mode Mosfet - X1-DFN1006-3
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| PDF资料下载 |
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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 小信号MOSFET | |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 1.5V,4V | |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 1V @ 250µA | |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 0.45nC @ 4.5V | |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 32pF @ 25V | |
| 栅极电压Vgs | ±20V | |
| Pd-功率耗散(Max) | 470mW(Ta) | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 2Ω@100mA,4V | |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | |
| 封装/外壳 | DFN | |
| FET类型 | N-Channel | |
| 漏源极电压Vds | 60V | |
| 连续漏极电流Id | 0.1A |
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| 价格梯度 | 单价(含税) |
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暂无价格 |
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最小包：3,000
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务，因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少，如果要购买整盘，建议购买这个数量的整数倍
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交期： 请咨询客服 |
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| LBSS138LT1G | 120,000 |
| PJA3401-AU_R1_000A1 | 39,000 |
| L2N7002DW1T1G | 30,200 |
| NX138AKR | 30,000 |
| PMV20ENR | 12,000 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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DMN62D0LFB-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
DFN |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
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DMN62D0LFB-7B | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
X1-DFN1006-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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