| 制造商编号 | DMG2302UK-7 |
|---|---|
| 制 造 商 | Diodes(达尔) |
| 唯样编号 | A-DMG2302UK-7 |
| 供货 | |
| 无铅情况/RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 描述 |
DMG2302UK Series 20 V 2.8 A N-Channel Enhancement Mode Mosfet - SOT-23-3
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| PDF资料下载 |
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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 小信号MOSFET | |
| 系列 | 汽车级,AEC-Q101 | |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 2.5V,4.5V | |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 1V @ 250µA | |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 2.8nC @ 10V | |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 130pF @ 10V | |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | |
| 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | |
| 连续漏极电流Id | 2.8A | |
| Pd-功率耗散(Max) | 660mW | |
| Qg-栅极电荷 | 1.4nC | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 90mΩ@3.6A,4.5V | |
| 漏源极电压Vds | 20V | |
| 栅极电压Vgs | ±12V | |
| 上升时间 | 2.7ns | |
| 下降时间 | 1.7ns | |
| 典型关闭延迟时间 | 4.2ns | |
| 典型接通延迟时间 | 0.6ns | |
| 通道数量 | 1Channel | |
| 配置 | Single | |
| FET类型 | N-Channel | |
| 产品特性 | 车规 |
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| 价格梯度 | 单价(含税) |
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暂无价格 |
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最小包：3,000
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务，因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少，如果要购买整盘，建议购买这个数量的整数倍
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交期： 请咨询客服 |
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| L2N7002LT1G | 30,000 |
| PMZB200UNEYL | 15,500 |
| S-L2N7002SLT1G | 12,000 |
| 2N7002HR | 12,000 |
| LMN2500N3T5G | 10,000 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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DMG2302UK-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 2.8A 660mW 90mΩ@3.6A,4.5V 20V ±12V N-Channel 车规 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||
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SI2302A-TP | MCC | 小信号MOSFET |
SOT-23 -55°C~150°C(TJ) 3A 72mΩ@3.6A,4.5V 20V 1.25W ±8V |
￥0.8426
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18,000 | 对比 | |||||||||||
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FDN335N | ON Semiconductor | 通用MOSFET |
￥1.177
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5,676 | 对比 | ||||||||||||
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DMG2302UK-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
N-Channel 20V 2.8A(Ta) ±12V 660mW(Ta) 90mΩ@3.6A,4.5V -55°C~150°C(TJ) TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 车规 |
￥0.5018
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2,445 | 对比 | ||||||||||
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FDN335N | ON Semiconductor | 通用MOSFET |
￥0.3535
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261 | 对比 | ||||||||||||
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DMG2302UKQ-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
SOT-23 车规 |
暂无价格 | 27 | 对比 |
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