| 制造商编号 | IRF7240TRPBF |
|---|---|
| 制 造 商 | Infineon(英飞凌) |
| 唯样编号 | A-IRF7240TRPBF |
| 供货 | |
| 无铅情况/RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 描述 |
MOSFET P-CH 40V 10.5A 8SO
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| PDF资料下载 |
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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 功率MOSFET | |
| 系列 | HEXFET® | |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V | |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 3V @ 250µA | |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 110nC @ 10V | |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 9250pF @ 25V | |
| 栅极电压Vgs | ±20V | |
| Pd-功率耗散(Max) | 2.5W(Ta) | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 15mΩ@10.5A,10V | |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | |
| FET类型 | P-Channel | |
| 连续漏极电流Id | 10.5A | |
| 漏源极电压Vds | 40V | |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 110nC | |
| 电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 10V | |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 9250pF | |
| 电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds | 25V | |
| 封装/外壳 | 8-SO |
Infineon 分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 P 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。
Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。
Infineon 分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 P 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。
Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。
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| 价格梯度 | 单价(含税) |
|---|---|
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暂无价格 |
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最小包：4,000
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务，因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少，如果要购买整盘，建议购买这个数量的整数倍
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交期： 请咨询客服 |
可增强GNSS信号灵敏度，适用于工作频率范围为1164MH~1300MHz的L频段应用
创新的多核架构基于多达三个独立的32位TriCore CPU，旨在满足最高的安全标准，同时显著提高性能
低饱和压降VCEsat,低开关损耗以及高电流密度
专为高性能应用设计，针对高开关频率进行了优化，品质因数出色
提供从400 V到2000 V的CoolSiC™MOSFET产品，可在工业领域实现广泛应用
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| AO3401A | 345,000 |
| S-LP2408LT1G | 102,105 |
| PJA3441_R1_00001 | 69,000 |
| JMPL1050AG-13 | 20,000 |
| NCEP092N10AS | 16,000 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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IRF7240TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 2.5W(Ta) 15mΩ@10.5A,10V -55°C~150°C(TJ) P-Channel 10.5A 40V 8-SO |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||||
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AO4485 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 P-Channel -40V ±20V -10A 1.7W 15mΩ@-10A,-10V -55℃~150℃ |
￥1.551
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33,256 | 对比 | ||||||||||||
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AO4485 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 P-Channel -40V ±20V -10A 1.7W 15mΩ@-10A,-10V -55℃~150℃ |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||
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AO4485_102 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
10A(Ta) P-Channel ±20V 15 mΩ @ 10A,10V 8-SO 1.7W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 40V |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||
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RS1G201ATTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) P 通道 8-HSOP |
￥14.5557
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233 | 对比 | ||||||||||||
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RS1G201ATTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) P 通道 8-HSOP |
暂无价格 | 30 | 对比 |
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