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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 贴片MLCC | |
| 温度系数(材质) | X7R | |
| 封装/外壳 | 1206 | |
| 容值 | 22uF | |
| 偏差 | ±10% | |
| 电压 | 10V |
X7R 配方称作温度稳定陶瓷，属于 EIA II 类材料，COG (NPO) 是最常用的温度补偿EIA I 类陶瓷材料
多层陶瓷电容器，-55°C 至 +125°C 时温度变化在 ±15% 内
电容变化为非线性
AVX 高电压芯片具有高值、低泄漏和小尺寸的优势，因此应用包括：高频功率转换器中的减震器、SMPS 中的共振器和高电压耦合/直流阻隔
这些高电压芯片设计在高频时具有低 ESR
陶瓷电容器具有低的寄生效应和极佳的 EMI 滤波功能。它们可多层配置，在宽温度范围内显示高电容值和各种额定电压。提供多种类型，如 MLCC 片式电容器、引线型电容器、堆叠型电容器以及采用独特几何形状的电容器。
X7R 配方称为温度稳定陶瓷电容器，属于 EIA II 类材料。X7R 是这些中间介电恒定材料中最受欢迎的。电容温度变化介于 ±15%（从 -55°C 到 +125°C）。此电容变化为非线性。
C0G (NP0) 是温度补偿的最常见配方，为 EIA I 类陶瓷材料
X7R 配方称为温度稳定陶瓷，属于 EIA II 类材料
Y5V 配方为有限温度范围内的一般用途材料。这些特征使得 Y5V 非常适合去耦应用。
X7R 配方称作温度稳定陶瓷，属于 EIA II 类材料，COG (NPO) 是最常用的温度补偿EIA I 类陶瓷材料
多层陶瓷电容器，-55°C 至 +125°C 时温度变化在 ±15% 内
电容变化为非线性
AVX 高电压芯片具有高值、低泄漏和小尺寸的优势，因此应用包括：高频功率转换器中的减震器、SMPS 中的共振器和高电压耦合/直流阻隔
这些高电压芯片设计在高频时具有低 ESR
陶瓷电容器具有低的寄生效应和极佳的 EMI 滤波功能。它们可多层配置，在宽温度范围内显示高电容值和各种额定电压。提供多种类型，如 MLCC 片式电容器、引线型电容器、堆叠型电容器以及采用独特几何形状的电容器。
X7R 配方称为温度稳定陶瓷电容器，属于 EIA II 类材料。X7R 是这些中间介电恒定材料中最受欢迎的。电容温度变化介于 ±15%（从 -55°C 到 +125°C）。此电容变化为非线性。
C0G (NP0) 是温度补偿的最常见配方，为 EIA I 类陶瓷材料
X7R 配方称为温度稳定陶瓷，属于 EIA II 类材料
Y5V 配方为有限温度范围内的一般用途材料。这些特征使得 Y5V 非常适合去耦应用。
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| 价格梯度 | 单价(含税) |
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暂无价格 |
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交期： 请咨询客服 |
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| CC0201KRX7R7BB103 | 4,170,000 |
| AC0603KRX7R9BB223 | 2,716,440 |
| CC0402BRNPO9BN1R0 | 1,690,000 |
| CC0603KRX7R9BB104 | 1,495,654 |
| CC0402KRX5R5BB475 | 1,091,100 |
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