| 制造商编号 | ZXMN7A11KTC |
|---|---|
| 制 造 商 | DiodesZetex |
| 唯样编号 | A3w-ZXMN7A11KTC |
| 供货 | |
| 无铅情况/RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 描述 |
DiodesZetex Si N沟道 MOSFET ZXMN7A11KTC, 6.1 A, Vds=70 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装
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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 未分类 | |
| FET类型 | N-Channel | |
| 连续漏极电流Id | 6.1 A | |
| 漏源极电压Vds | 70 V | |
| 导通电阻Rds(On) | 190 m0hms | |
| 最小栅阈值电压 | 1V | |
| 栅极电压Vgs | -20 V、+20 V | |
| 封装/外壳 | DPAK (TO-252) | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| FET类型 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 功率 | 8.5 W | |
| 长度 | 6.73mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 Ohms | |
| 封装/外壳 | 6.73*6.22*2.39mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 漏源极电压Vds | 298 pF @ 40 V | |
| 典型关断延迟时间 | 11.5 ns | |
| 典型接通延迟时间 | 1.9 ns | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 高度 | 2.39mm | |
| 宽度 | 6.22mm |
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￥2
若购买整盘会自带料盘无需额外购买料盘
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单价：￥ 总价：￥ |
购买数量不足MPQ时，均为剪切带或散料出货。
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最小包：1
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务，因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少，如果要购买整盘，建议购买这个数量的整数倍
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交期：
2周-3周
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| 起订量： 250 | 倍数：1 |
生产日期 : 739 | JUL 2019 | USA
专为高温、高湿及高可靠性场景设计,最高工作温度125℃
在0402尺寸（0.4×0.2×0.2mm）下优异的Q特性与高自谐振频率
高电源抑制比(PSRR)、快速瞬态响应、高输出精度和超低噪声，最大可提供 300mA 负载电流
高Q值、低损耗、高自谐振频率，满足汽车、工业及数据通信等严苛环境下的应用需求
专为满足电气设备的电源线及大电流信号线噪声抑制需求而设计
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| 4D03WGJ0471T5E | 15,000 |
| RS2583YH6-AK | 12,000 |
| ORPC-817SB-TP-C-G-S-(GK) | 8,000 |
| ST2045L | 5,000 |
| 715311-2MAC | 4,000 |
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