| 制造商编号 | GAN140-650FBEZ |
|---|---|
| 商品别名 | GAN140-650FBE |
| 制 造 商 |
Nexperia(安世)
授权代理品牌
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| 唯样编号 | A3n-GAN140-650FBEZ |
| 供货 | |
| 无铅情况/RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 描述 |
GAN140-650FBE/SOT8075/DFN5060- 翻译
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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 通用MOSFET | |
| 封装/外壳 | SOT8075 | |
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | 125 pF @ 400 V | |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | |
| 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | 6V | |
| 25°C时电流-连续漏极(Id) | 17A(Ta) | |
| 不同Id时Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 17.2mA | |
| 功率耗散(最大值) | 113W(Ta) | |
| Vgs(最大值) | +7V,-1.4V | |
| 技术 | GaNFET(氮化镓) | |
| FET类型 | N 通道 | |
| 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) | 3.5 nC @ 6 V | |
| 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) | 140 毫欧 @ 5A,6V | |
| 漏源电压(Vdss) | 650 V |
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￥2
若购买整盘会自带料盘无需额外购买料盘
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单价：￥ 总价：￥ |
购买数量不足MPQ时，均为剪切带或散料出货。
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最小包：2,500
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务，因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少，如果要购买整盘，建议购买这个数量的整数倍
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交期：
7天-14天
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| 起订量： 2,500 | 倍数：2,500 |
高性能 NPN型电阻内置晶体管，专为简化电路设计并提升系统可靠性而开发
8位串行或并行输入/串行输出移位寄存器，可用于从高电平到低电平的转换应用
低电压CMOS器件，与74HC/HCT4052引脚和功能兼容
具有三态输出的单位双电源收发器，可实现双向电平转换
低反向电流、低正向电压和最低Qrr，可在高环境温度下实现最佳效率
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| PJC138K-AU_R1_000A1 | 90,000 |
| S-LSI1012LT1G | 30,000 |
| S-LN2308LT1G | 15,050 |
| LPB2325LT1G | 15,000 |
| PJQ5443-AU_R2_000A1 | 12,000 |
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