| 图片 | 商品 | 数据手册 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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数据手册 |
-55°C~175°C(TJ) TO-220-3 100A 176W 8mΩ 80V 2V |
¥3.504
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501 | 当前型号 | |||||||||||
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数据手册 |
±20V 200W(Tc) 6.5mΩ@55A,10V -55°C~175°C(TJ) TO-220 N-Channel 80V 110A |
暂无价格 | 12,000 | 对比 | |||||||||||
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数据手册 |
±20V 200W(Tc) 6.5mΩ@55A,10V -55°C~175°C(TJ) TO-220 N-Channel 80V 110A |
¥5.412
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1,256 | 对比 | |||||||||||
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数据手册 |
TO-220 N-Channel 80V 20V 46A 93.5W 9.2mΩ@10V |
¥7.1429
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1,000 | 对比 | |||||||||||
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310W(Tc) 9m Ohms@80A,10V -55°C~175°C(TJ) TO-220AB 12A N-Channel 100V 12A(Ta),80A(Tc) ±20V 9 毫欧 @ 80A,10V -55°C~175°C(TJ) TO-220-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||
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数据手册 |
±20V 200W(Tc) 6.5mΩ@55A,10V -55°C~175°C(TJ) TO-220 N-Channel 80V 110A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
参数有误?
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 功率MOSFET | |
| 驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) | 10V | |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA | |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 100nC @ 10V | |
| 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) | 5955pF @ 25V | |
| 工作温度 | -55°C~175°C(TJ) | |
| 封装/外壳 | TO-220-3 | |
| 连续漏极电流Id | 100A | |
| 功率耗散Pd | 176W | |
| Qg-栅极电荷 | 100nC | |
| 导通电阻Rds(On) | 8mΩ | |
| 漏源极电压Vds | 80V | |
| 栅极电压Vgs | 2V | |
| 上升时间 | 46ns | |
| 下降时间 | 21ns | |
| 典型关闭延迟时间 | 103ns | |
| 典型接通延迟时间 | 33ns | |
| 系列 | STP100N8F6 | |
| 通道数量 | 1Channel | |
| 配置 | Single |
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专为高温、高湿及高可靠性场景设计,最高工作温度125℃
在0402尺寸(0.4×0.2×0.2mm)下优异的Q特性与高自谐振频率
高电源抑制比(PSRR)、快速瞬态响应、高输出精度和超低噪声,最大可提供 300mA 负载电流
高Q值、低损耗、高自谐振频率,满足汽车、工业及数据通信等严苛环境下的应用需求
专为满足电气设备的电源线及大电流信号线噪声抑制需求而设计
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| GP3401A | 54,000 |
| NCE60P25K | 45,000 |
| PJD50N10AL-AU_L2_000A1 | 18,000 |
| LN8320DT1AG | 16,000 |
| JMSH1008AGQ-13 | 15,000 |