| 图片 | 商品 | 数据手册 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||
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数据手册 |
TO-263-3 |
￥18.372
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1,000 | 当前型号 | |||||||||
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数据手册 |
TO-263-3 N-Channel 277.8W 110mΩ@12.7A,10V -55°C~150°C ±20V 650V 31.2A |
暂无价格 | 0 | 对比 | |||||||||
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数据手册 |
TO-263 N-Channel 600V 30V 37A 417W 109mΩ@10V |
暂无价格 | 0 | 对比 | |||||||||
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数据手册 |
24A(Tc) N-Channel 145 mOhms @ 12A,10V 250W TO-263AB -55°C~150°C 650V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 通用MOSFET | |
| 封装/外壳 | TO-263-3 |
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专为高温、高湿及高可靠性场景设计,最高工作温度125℃
在0402尺寸（0.4×0.2×0.2mm）下优异的Q特性与高自谐振频率
高电源抑制比(PSRR)、快速瞬态响应、高输出精度和超低噪声，最大可提供 300mA 负载电流
高Q值、低损耗、高自谐振频率，满足汽车、工业及数据通信等严苛环境下的应用需求
专为满足电气设备的电源线及大电流信号线噪声抑制需求而设计
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| PJC138K-AU_R1_000A1 | 90,000 |
| S-LSI1012LT1G | 30,000 |
| S-LN2308LT1G | 15,050 |
| LPB2325LT1G | 15,000 |
| PJQ5443-AU_R2_000A1 | 12,000 |
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