| 图片 | 商品 | 数据手册 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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数据手册 |
N-Channel 30V 9.5A(Ta) ±20V 2W(Tc) 14.6mΩ@9.5A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC |
￥7.6248
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2,500 | 当前型号 | |||||||||||||
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数据手册 |
SO-8 N-Channel 30V ±20V 10.5A 3.1W 17mΩ@10.5A,10V -55°C~150°C |
￥0.8988
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21,859 | 对比 | |||||||||||||
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数据手册 |
N-Channel 30V 9.5A(Ta) ±20V 2W(Tc) 14.6mΩ@9.5A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC |
￥2.6831
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2,500 | 对比 | |||||||||||||
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数据手册 |
N-Channel 30V 9.5A(Ta) ±20V 2W(Tc) 14.6mΩ@9.5A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC |
￥2.6831
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2,152 | 对比 | |||||||||||||
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数据手册 |
SO-8 N-Channel 30V ±20V 10.5A 3.1W 17mΩ@10.5A,10V -55°C~150°C |
￥0.5988
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269 | 对比 | |||||||||||||
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数据手册 |
SO-8 N-Channel 30V 20V 13A 3.1W 11.5mΩ@12A,10V -55°C~150°C |
￥0.8235
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0 | 对比 |
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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 功率MOSFET | |
| FET类型 | N-Channel | |
| 漏源极电压Vds | 30V | |
| 连续漏极电流Id | 9.5A(Ta) | |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V | |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 2.5V @ 1mA | |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 8.3nC @ 4.5V | |
| 栅极电压Vgs | ±20V | |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 680pF @ 15V | |
| 功率耗散Pd | 2W(Tc) | |
| 导通电阻Rds(On) | 14.6mΩ@9.5A,10V | |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | |
| 封装/外壳 | 8-SOIC |
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高精度电流检测，具备-14V~+80V的宽共模电压范围，可输出模拟电压信号
专为汽车应用设计的电流检测放大器，适用于高精度电流监测场景
低开关损耗，低导通电阻，小型芯片尺寸，实现了更低的电容和栅极电荷
2-line且双向的ESD（静电放电）保护，保护水平高达±30 kV
承受10us短路时间，低集电极-发射极饱和电压，内置快速恢复二极管（FRD）
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| SI7617DN-T1-GE3 | 300,000 |
| PJA3413-AU_R1_000A1 | 105,000 |
| PJQ4476AP-AU_R2_000A1 | 75,000 |
| SI1012CR-T1-GE3 | 66,000 |
| JMSL1020AGDQ-13 | 50,000 |
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