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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | SiC MOSFET | |
| 连续漏极电流Id | 180A(Tc) | |
| FET类型 | 2N-Channel | |
| 栅极电压Vgs | 5.6V@50mA | |
| 功率耗散Pd | 880W | |
| 封装/外壳 | 模块 | |
| 工作温度 | 175°C(TJ) | |
| 漏源极电压Vds | 1.2KV |
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￥2
若购买整盘会自带料盘无需额外购买料盘
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单价：￥ 总价：￥ |
购买数量不足MPQ时，均为剪切带或散料出货。
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最小包：12
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务，因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少，如果要购买整盘，建议购买这个数量的整数倍
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交期：
4周-5周
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| 起订量： 1 | 倍数：1 |
生产年份 : 2026 年
高精度电流检测，具备-14V~+80V的宽共模电压范围，可输出模拟电压信号
专为汽车应用设计的电流检测放大器，适用于高精度电流监测场景
低开关损耗，低导通电阻，小型芯片尺寸，实现了更低的电容和栅极电荷
2-line且双向的ESD（静电放电）保护，保护水平高达±30 kV
承受10us短路时间，低集电极-发射极饱和电压，内置快速恢复二极管（FRD）
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| IV2Q171R0T3 | 1,075 |
| IV1Q06060T4G | 682 |
| SCT4036KRC15 | 628 |
| IV2Q12080D7Z | 628 |
| IV2Q20045T4 | 563 |
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