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功率MOSFET   -55°C~150°C(TJ) SOT-23-3 3.6A 1.7W 60mΩ 30V 1.2V

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制造商编号 SI2304DDS-T1-GE3
制 造 商 Vishay(威世)  
授权代理品牌
唯样编号 A36-SI2304DDS-T1-GE3-1
供货
无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs
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-55°C~150°C(TJ) SOT-23-3 3.6A 1.7W 60mΩ 30V 1.2V

暂无价格 18 当前型号
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SOT-23

¥0.942 

阶梯数 价格
60: ¥0.942
200: ¥0.6492
1,500: ¥0.6409
3,000: ¥0.598
25,665 对比
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SOT23 N-Channel 0.5W 150°C 8V 30V

¥4.8141 

阶梯数 价格
5: ¥4.8141
100: ¥3.566
1,000: ¥2.6415
1,500: ¥2.1652
3,000: ¥1.8828
12,270 对比

1.9A(Ta) ±20V 500mW(Ta) 60m Ohms@2.2A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SuperSOT N-Channel 30V 1.9A 60 毫欧 @ 2.2A,10V -55°C~150°C(TJ)

¥1.272 

阶梯数 价格
40: ¥1.272
200: ¥0.9792
1,500: ¥0.852
3,000: ¥0.792
7,653 对比
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SOT-23-3

¥0.9828 

阶梯数 价格
60: ¥0.9828
200: ¥0.7572
1,500: ¥0.6576
3,000: ¥0.612
6,603 对比
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SOT-23-3

暂无价格 3,000 对比

参数信息 商品简介 常见问题

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参数 参数值 操作
商品目录 功率MOSFET
零件号别名 SI2304DDS-GE3
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 6.7nC @ 10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 235pF @ 15V
工作温度 -55°C~150°C(TJ)
封装/外壳 SOT-23-3
连续漏极电流Id 3.6A
功率耗散Pd 1.7W
Qg-栅极电荷 6.7nC
导通电阻Rds(On) 60mΩ
漏源极电压Vds 30V
栅极电压Vgs 1.2V
上升时间 12ns
下降时间 5ns
典型关闭延迟时间 10ns
典型接通延迟时间 5ns
正向跨导 - 最小值 11S
系列 SI2
通道数量 1Channel
配置 Single
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商品简介

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