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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 未分类 | |
| IGBT 类型 | 沟槽型场截止 | |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 650V | |
| 电流 - 集电极（Ic）（最大值） | 100A | |
| 脉冲电流 - 集电极 (Icm) | 200A | |
| 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on） | 2.1V @ 15V,50A | |
| 功率 | 268W | |
| 开关能量 | 180µJ(开),45µJ(关) | |
| 输入类型 | 标准 | |
| 25°C 时 Td（开/关）值 | 22ns/105ns | |
| 测试条件 | 400V,12.5A,4.7 欧姆,15V | |
| 反向恢复时间（trr） | 31ns | |
| 工作温度 | -55°C~175°C(TJ) | |
| 封装/外壳 | TO-247-3 | |
| 封装/外壳 | PLUS-220SMD |
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| 价格梯度 | 单价(含税) |
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暂无价格 |
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最小包：450
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务，因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少，如果要购买整盘，建议购买这个数量的整数倍
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交期：
18W
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| 起订量： 450 | 倍数：1 |
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| ADS1115BQDGSRQ1 | 480 |
| XT60H-M | 363 |
| ID09S33E4GV00LF | 348 |
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