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功率MOSFET   33A(Tc) N-Channel 99 mOhms @ 16.5A,10V 278W(Tc) TO-263AB -55°C~150°C 600V

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制造商编号 SIHB33N60E-GE3
制 造 商 Vishay(威世)  
授权代理品牌
唯样编号 A3t-SIHB33N60E-GE3
供货
无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs
描述
E Series N Channel 650 V 278 W 0.099 O 150 nC Surface Mount Power Mosfet - D2PAK   翻译
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参数信息 常见问题

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参数 参数值 操作
商品目录 功率MOSFET
连续漏极电流Id 33A(Tc)
FET类型 N-Channel
Vgs(最大值) ±30V
Rds On(Max)@Id,Vgs 99 mOhms @ 16.5A,10V
Vgs(th) 4V @ 250uA
Pd-功率耗散(Max) 278W(Tc)
封装/外壳 TO-263AB
工作温度 -55°C~150°C
漏源极电压Vds 600V
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