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制造商编号 SIHLR120TR-GE3
制 造 商 Vishay(威世)  
授权代理品牌
唯样编号 A3t-SIHLR120TR-GE3
供货
无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs
描述
Vishay Si N沟道 MOSFET SIHLR120TR-GE3, 7.7 A, Vds=100 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装
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FET类型 N-Channel
连续漏极电流Id 7.7 A
漏源极电压Vds 100 V
Rds On(Max)@Id,Vgs 380 m0hms
最小栅阈值电压 1V
栅极电压Vgs -10 V、+10 V
封装/外壳 DPAK (TO-252)
晶体管配置
引脚数目 3
FET类型 增强
类别 功率 MOSFET
功率 42W
高度 2.38mm
每片芯片元件数目 1 Ohms
封装/外壳 6.73*6.22*2.38mm
最高工作温度 +150 °C
晶体管材料 Si
漏源极电压Vds 490 pF@ 25 V
典型关断延迟时间 21 ns
典型接通延迟时间 9.8 ns
最低工作温度 -55 °C
长度 6.73mm
宽度 6.22mm
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