参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 功率MOSFET | |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V | |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 4V @ 250µA | |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 100nC @ 10V | |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 5955pF @ 25V | |
| 工作温度 | -55°C~175°C(TJ) | |
| 封装/外壳 | TO-220-3 | |
| 连续漏极电流Id | 100A | |
| Pd-功率耗散(Max) | 176W | |
| Qg-栅极电荷 | 100nC | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 8mΩ | |
| 漏源极电压Vds | 80V | |
| 栅极电压Vgs | 2V | |
| 上升时间 | 46ns | |
| 下降时间 | 21ns | |
| 典型关闭延迟时间 | 103ns | |
| 典型接通延迟时间 | 33ns | |
| 系列 | STP100N8F6 | |
| 通道数量 | 1Channel | |
| 配置 | Single |
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| 价格梯度 | 单价(含税) |
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暂无价格 |
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最小包：1
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交期：
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采用绕线工艺与磁屏蔽结构，具有良好的共模噪声抑制能力
高耐压、高电流承载能力与优异的抗浪涌性能，专为交流开关控制场景设计，
高可靠性厚膜电阻，体积小、重量轻、电性能稳定、机械强度高
具备优异的静态和动态性能，适用于高dV/dt和高di/dt的严苛电路环境
产品线丰富，覆盖了从微小信号处理到高功率控制的广泛需求
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| GP3139 | 240,000 |
| BUK7K6R2-40EX | 193,500 |
| IRF4905STRLPBF | 63,200 |
| BUK9832-55A/CUX | 44,000 |
| IRFZ24NPBF | 35,000 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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STP100N8F6 | STMicro | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~175°C(TJ) TO-220-3 100A 176W 8mΩ 80V 2V |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||
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STP110N8F6 | STMicro | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 200W(Tc) 6.5mΩ@55A,10V -55°C~175°C(TJ) TO-220 N-Channel 80V 110A |
暂无价格 | 219,300 | 对比 | ||||||||||
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AOT288L | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-220 N-Channel 80V 20V 46A 93.5W 9.2mΩ@10V |
￥7.1429
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1,000 | 对比 | ||||||||||
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FDP3632 | ON Semiconductor | 通用MOSFET |
310W(Tc) 9m Ohms@80A,10V -55°C~175°C(TJ) TO-220AB 12A N-Channel 100V 12A(Ta),80A(Tc) ±20V 9 毫欧 @ 80A,10V -55°C~175°C(TJ) TO-220-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 | |||||||||||
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STP110N8F6 | STMicro | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 200W(Tc) 6.5mΩ@55A,10V -55°C~175°C(TJ) TO-220 N-Channel 80V 110A |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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PSMN8R7-80PS,127 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT78 N-Channel 170W 175°C 3V 80V 90A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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